1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск

Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике : лабораторный практикум

Полный текст
Доступ к полному тексту через электронную библиотечную систему «Лань».
База данных: Каталог библиотеки СФУ
Библиографическое описание: Кузнецов, Г. Д. Определение параметров гетероструктур, используемых в оптоэлектронике : лабораторный практикум / Г. Д. Кузнецов, В. П. Сушков, А. Е. Ованесов. - Москва : МИСИС, 2002. - 40 с. - . Книга из коллекции МИСИС - Инженерно-технические науки
Аннотация: Практикум состоит из пяти лабораторных работ, выполнение которых позволит получить достаточно полное представление о свойствах гетероструктур, используемых в оптоэлектронике. В каждом описании к лабораторной работе дается краткое рассмотрение теории и технологии изготовления гетероструктур, что закрепляет знания студентов, полученные в лекционных курсах. Настоящий лабораторный практикум предназначен для студентов, обучающихся по направлению 550700 для изучения курсов «Основы высоких технологий», «Физико-химические основы многослойных гетероструктур», «Конструирование компонентов и элементов микроэлектроники»
Год издания: 2002
Авторы: Кузнецов Г. Д., Сушков В. П., Ованесов А. Е.
Издательство: МИСИС, Москва
Количество страниц: 40
Количество экземпляров:
Издание имеется только в электронном виде

Цифровые и тематические книжные коллекции издания

Похожие документы

Микроэлектроника

  • Орлова М. Н. и др.
  • 2010 год

Схемотехника цифровой электроники

  • Маркарян Л. В.
  • 2018 год

Технология материалов электронной техники

  • Кожитов Л. В. и др.
  • 2004 год

Элементы и устройства магнитоэлектроники

  • Крутогин Д. Г.
  • 2015 год

Вакуумная и плазменная электроника

  • Кузнецов Г. Д. и др.
  • 2005 год
Технология материалови изделий электроннойтехники Розин К. М.1999 год

Технология материалов и изделий электронной техники

  • Розин К. М.
  • 1999 год

Теория и расчет полупроводниковых приборов: Твердотельная электроника

  • Кольцов Г. И. и др.
  • 2010 год

Технология эпитаксиальных слоев и гетерокомпозоций

  • Крапухин В. В. и др.
  • 1998 год

Теория и расчет полупроводниковых приборов и интегральных схем: Полевые транзисторы

  • Кольцов Г. И. и др.
  • 2001 год
Анализ схем наоперационныхусилителях сприменениеминтерактивнойпрограммы ElectronicsWorkbench Маняхин Ф. И.Душин А. Н.Травин А. А.2002 год

Анализ схем на операционных усилителях с применением интерактивной программы Electronics Workbench

  • Маняхин Ф. И. и др.
  • 2002 год
Определениепараметровполупроводника потемпературнымзависимостям ЭДСХолла, времени жизниносителей заряда и… Маняхин Ф. И.2002 год

Определение параметров полупроводника по температурным зависимостям ЭДС Холла, времени жизни носителей заряда и электропроводности

  • Маняхин Ф. И.
  • 2002 год

Техническая механика

  • Морозова И. Г. и др.
  • 2018 год