1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
172. Epitaxy of Gefilms on galliumarsenide by vacuumevaporation 1967 год

172. Epitaxy of Ge films on gallium arsenide by vacuum evaporation
статья из журнала

Страница публикацииПубликация в OpenAlex
Год издания: 1967
Издательство: Elsevier BV
Источник: Vacuum
Ключевые слова: Semiconductor materials and interfaces, Silicon Nanostructures and Photoluminescence, Thin-Film Transistor Technologies