1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
Regrown source/drainin InGaAs multi-gateMOSFETs Yasuyuki MiyamotoToru KanazawaNobukazu Kise2019 год

Regrown source/drain in InGaAs multi-gate MOSFETs
статья из журнала

Страница публикацииПубликация в OpenAlex
Год издания: 2019
Авторы: Yasuyuki Miyamoto, Toru Kanazawa, Nobukazu Kise, Haruki Kinoshita, Kazuto Ohsawa
Издательство: Elsevier BV
Источник: Journal of Crystal Growth
Ключевые слова: Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design, Semiconductor materials and devices, Nanowire Synthesis and Applications