1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
A simple multistepetched terminationtechnique for 4H-SiCGTO thyristors Zhiqiang LiKun ZhouLin Zhang2018 год

A simple multistep etched termination technique for 4H-SiC GTO thyristors
статья из журнала

Страница публикацииПубликация в OpenAlex
Год издания: 2018
Авторы: Zhiqiang Li, Kun Zhou, Lin Zhang, Xingliang Xu, Lianghui Li, Jun‐Tao Li, Gang Dai
Издательство: Elsevier BV
Источник: Solid-State Electronics
Ключевые слова: Silicon Carbide Semiconductor Technologies, Electrostatic Discharge in Electronics, HVDC Systems and Fault Protection