1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
The influence of edgeeffects on thedetermination of thedoping profile ofsilicon pad diodes E. FretwurstE. GaruttiM. Hufschmidt2017 год

The influence of edge effects on the determination of the doping profile of silicon pad diodes
статья из журнала

Полный текстСтраница публикацииПубликация в OpenAlex
Год издания: 2017
Авторы: E. Fretwurst, E. Garutti, M. Hufschmidt, R. Klanner, I. Kopsalis, J. Schwandt
Издательство: Elsevier BV
Источник: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment
Ключевые слова: Advancements in Semiconductor Devices and Circuit Design, Silicon Carbide Semiconductor Technologies, Semiconductor materials and devices
Другие ссылки: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A Accelerators Spectrometers Detectors and Associated Equipment (HTML)
arXiv (Cornell University) (PDF)
arXiv (Cornell University) (HTML)