1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
Reactants in SiCchemical vapordeposition usingCH3SiH3 as a sourcegas Yoshio Ohshita1995 год

Reactants in SiC chemical vapor deposition using CH3SiH3 as a source gas
статья из журнала

Страница публикацииПубликация в OpenAlex
Год издания: 1995
Авторы: Yoshio Ohshita
Издательство: Elsevier BV
Источник: Journal of Crystal Growth
Ключевые слова: Semiconductor materials and devices, Diamond and Carbon-based Materials Research, Silicon Carbide Semiconductor Technologies