Библиографическое описание:Особенности процессов эпитаксиального роста наногетероструктур InAlN/InGaN для СВЧ-транзисторов коммуникационных систем = Aspects of InAlN/InGaN heterostructures epitaxial growth for HEMT transistors of communication systems / А. А. Арендаренко [и др.]. - Текст : непосредственный // Успехи современной радиоэлектроники. - 2016. - № 1. - С. 89-93 : 9 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 93 (9 назв. ). - ISSN 0021-3470.
Аннотация:Рассмотрены особенности выращивания наногетероструктур на основе нитрида галлия для СВЧ-транзисторов. Промоделированы процессы выращивания гетероструктур InAlN/GaN в реакторе со струйным вводом компонентов Aixtron CCS.
