1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
Особенности процессовэпитаксиального ростананогетероструктурInAlN/InGaN дляСВЧ-транзисторовкоммуникационныхсистем Арендаренко А. А.Данилин В. Н.Макаров А. А.2016 год

Особенности процессов эпитаксиального роста наногетероструктур InAlN/InGaN для СВЧ-транзисторов коммуникационных систем
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ
Аннотация: Рассмотрены особенности выращивания наногетероструктур на основе нитрида галлия для СВЧ-транзисторов. Промоделированы процессы выращивания гетероструктур InAlN/GaN в реакторе со струйным вводом компонентов Aixtron CCS.
Год издания: 2016
Авторы: Арендаренко А. А. , Данилин В. Н. , Макаров А. А. , Тычкин Р. И.
Источник: Успехи современной радиоэлектроники
Выпуск: № 1
Номера страниц: 89-93

Похожие публикации

Особенностиразработки процессавыращивания структурInAlN/GaN методомгазофазной эпитаксииизметаллорганических… Буробин В. А.Каргин Н. И.Коновалов А. М.2014 год

Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из…

  • Буробин В. А. и др.
  • 2014 год

The GaN Era has Arrived in SATCOM Power Amplifiers

  • Turner S.
  • 2015 год
Особенностиэпитаксиальноговыращиваниягетероструктур длятвердотельногоосвещения Буробин В. А.Волошин А. Ю.Каргин Н. И.2014 год

Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения

  • Буробин В. А. и др.
  • 2014 год
Наногетероструктуры всверхвысокочастотнойполупроводниковойэлектронике Мокеров В. Г.Медведев Б. К.Игнатьев А. С.2010 год

Наногетероструктуры в сверхвысокочастотной полупроводниковой электронике

  • Мокеров В. Г. и др.
  • 2010 год