1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Успехи современной радиоэлектроники»
  5. Выпуск 2014 г. № 9 (50 лет Факультету физической и квантовой электроники Московского физико-технического института)
Особенностиразработки процессавыращивания структурInAlN/GaN методомгазофазной эпитаксиииз металлорганическихсоединений,применяемых вСВЧ-транзисторах… Буробин В. А.Каргин Н. И.Коновалов А. М.2014 год

Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ
Библиографическое описание: Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью = Aspects of processing development for MOCVD growth of InAlN/GaN heterostructures for microwave transistors with high output power density / В. А. Буробин [и др.]. - Текст : непосредственный // Успехи современной радиоэлектроники. - 2014. - № 9. - С. 48-52 : 3 рис. - Библиогр.: с. 51 (5 назв. ). - (50 лет Факультету физической и квантовой электроники Московского физико-технического института). - ISSN 0021-3470.
Аннотация: Рассмотрены особенности выращивания наногетероструктур на основе нитрида галлия для СВЧ-транзисторов. Проведено сравнение материалов, используемых в качестве подложек, отражены технологические аспекты формирования гетероэпитаксиальных структур InAlN/GaN. Показаны преимущества разрабатываемых структур по сравнению с используемым в настоящее время арсенидом галлия.
Год издания: 2014
Авторы: Буробин В. А. , Каргин Н. И. , Коновалов А. М. , Макаров А. А. , Щука А. А.
Источник: Успехи современной радиоэлектроники
Выпуск: № 9
Номера страниц: 48-52
Количество экземпляров:
  • Читальный зал военных наук (Академгородок, 13а, 1 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие публикации

Особенности процессовэпитаксиального ростананогетероструктурInAlN/InGaN дляСВЧ-транзисторовкоммуникационныхсистем Арендаренко А. А.Данилин В. Н.Макаров А. А.2016 год

Особенности процессов эпитаксиального роста наногетероструктур InAlN/InGaN для СВЧ-транзисторов…

  • Арендаренко А. А. и др.
  • 2016 год

The GaN Era has Arrived in SATCOM Power Amplifiers

  • Turner S.
  • 2015 год
Многоэлементныйпанорамныйрентгеновскийдетектор на базеарсенида галлия Дворянкин В. Ф.Дикаев Ю. М.Кудряшов А. А.2016 год

Многоэлементный панорамный рентгеновский детектор на базе арсенида галлия

  • Дворянкин В. Ф. и др.
  • 2016 год
Широкополосныйтвердотельныймногоразрядныйаттенюатормиллиметровогодиапазона Ли А. И.Толстолуцкий С. И.Трухов Д. А.2012 год

Широкополосный твердотельный многоразрядный аттенюатор миллиметрового диапазона

  • Ли А. И. и др.
  • 2012 год
Избыточные шумы вGaAs детекторахионизирующихизлучений,геттерированныхиттербием Ильичев Э. А.Кострюков С. А.Жигальский Г. П.2014 год

Избыточные шумы в GaAs детекторах ионизирующих излучений, геттерированных иттербием

  • Ильичев Э. А. и др.
  • 2014 год
Особенностиэпитаксиальноговыращиваниягетероструктур длятвердотельногоосвещения Буробин В. А.Волошин А. Ю.Каргин Н. И.2014 год

Особенности эпитаксиального выращивания гетероструктур для твердотельного освещения

  • Буробин В. А. и др.
  • 2014 год
ПрименениеХ-параметров дляпроектирования МИССВЧ-усилителей Безус С. В.Иващенко Д. И.Казачков В. В.2013 год

Применение Х-параметров для проектирования МИС СВЧ-усилителей

  • Безус С. В. и др.
  • 2013 год
Теоретический анализмассогабаритныххарактеристик инелинейности припереходе от гибридныхсборок к технологии… Барон Ф. А.Галеев С. З.Зеленов Ф. В.2017 год

Теоретический анализ массогабаритных характеристик и нелинейности при переходе от гибридных…

  • Барон Ф. А. и др.
  • 2017 год

Показать ещё