Библиографическое описание:Избыточные шумы в GaAs детекторах ионизирующих излучений, геттерированных иттербием = Еxcess noise in ionizating radiation GaAs detectors gettered by Yb / Э. А. Ильичев [и др.]. - Текст : непосредственный // Успехи современной радиоэлектроники. - 2014. - № 10. - С. 74-78 : 5 рис. - Библиогр.: с. 77-78 (7 назв. ). - (Научные достижения Рязанского государственного радиотехнического университета (РГРТУ). - ISSN 0021-3470.
Аннотация:Представлены результаты экспериментального исследования избыточного шума детекторов заряженных частиц и рентгеновского излучения, в которых созданы геттерирующие области, легированные иттербием. Исследования проведены на эпитаксиальных слоях GaAs. Структуры, изготовленные на слоях с меньшей концентрацией пассивирующей примеси, имели меньший уровень избыточного шума. Установлено, что структуры с разной площадью активной области характеризовались разным уровнем избыточного шума.
