1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Заводская лаборатория. Диагностика материалов»
  5. Выпуск 2017 г. Том 83. № 1(1)
Электрическиесвойствавысококачественныхсинтетическихмонокристалловалмаза, легированныхбором, и диодовШоттки на их основе Бормашов В. С.Тарелкин С. А.Буга С. Г.2017 год

Электрические свойства высококачественных синтетических монокристаллов алмаза, легированных бором, и диодов Шоттки на их основе
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (Э 454)
Библиографическое описание: Электрические свойства высококачественных синтетических монокристаллов алмаза, легированных бором, и диодов Шоттки на их основе / В. С. Бормашов [и др.]. - (Исследование структуры и свойств) (Физические методы исследования и контроля). - Текст : непосредственный // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2017. - Т. 83, № 1, ч. 1. - С. 36-42. - Библиогр.: с. 42 (24 назв. ). - ISSN 1028-6861.
Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и коэффициента Холла высококачественных легированных бором синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом высокого давления при повышенной температуре. Полученные результаты коррелируют с содержанием бора в смеси роста. Минимальный коэффициент компенсации акцепторов донорами (ниже 1 %) наблюдался в кристаллах, выращенных с 0, 002 % ат. содержанием бора в ростовой смеси. При увеличении или уменьшении количества бора коэффициент повышался. Выращенные при такой концентрации бора образцы имели максимальную подвижность носителей заряда (2200 см{2}/ (В • с) при T = 300 К и 7200 см{2}/ (В • с) при T =180 К). Фононное рассеяние дырок доминировало во всем диапазоне температур (180 - 800 К), а рассеяние точечными дефектами (нейтральными и ионизированными атомами примеси) было незначительным. Кристаллы алмаза, выращенные из смеси, содержащей 0, 0005 - 0, 002 % ат. бора, и имеющие безупречное качество и решеточный механизм рассеяния, могут рассматриваться как образцовый полупроводник.
Год издания: 2017
Авторы: Бормашов В. С. , Тарелкин С. А. , Буга С. Г. , Волков А. П. , Голованов А. В. , Кузнецов М. С. , Корнилов Н. В. , Тетерук Д. В. , Терентьев С. А. , Бланк В. Д.
Источник: Заводская лаборатория. Диагностика материалов
Выпуск: Т. 83, № 1, ч. 1
Номера страниц: 36-42
Количество экземпляров:
  • Читальный зал (пер. Вузовский, 6Д): свободно 1 из 1 экземпляров