1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Заводская лаборатория. Диагностика материалов»
  5. Выпуск 2017 г. Том 83. № 1(1)
Электрическиесвойствавысококачественныхсинтетическихмонокристалловалмаза, легированныхбором, и диодовШоттки на их основе Бормашов В. С.Тарелкин С. А.Буга С. Г.2017 год

Электрические свойства высококачественных синтетических монокристаллов алмаза, легированных бором, и диодов Шоттки на их основе
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (Э 454)
Библиографическое описание: Электрические свойства высококачественных синтетических монокристаллов алмаза, легированных бором, и диодов Шоттки на их основе / В. С. Бормашов [и др.]. - (Исследование структуры и свойств) (Физические методы исследования и контроля). - Текст : непосредственный // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2017. - Т. 83, № 1, ч. 1. - С. 36-42. - Библиогр.: с. 42 (24 назв. ). - ISSN 1028-6861.
Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления и коэффициента Холла высококачественных легированных бором синтетических монокристаллов алмаза, выращенных методом высокого давления при повышенной температуре. Полученные результаты коррелируют с содержанием бора в смеси роста. Минимальный коэффициент компенсации акцепторов донорами (ниже 1 %) наблюдался в кристаллах, выращенных с 0, 002 % ат. содержанием бора в ростовой смеси. При увеличении или уменьшении количества бора коэффициент повышался. Выращенные при такой концентрации бора образцы имели максимальную подвижность носителей заряда (2200 см{2}/ (В • с) при T = 300 К и 7200 см{2}/ (В • с) при T =180 К). Фононное рассеяние дырок доминировало во всем диапазоне температур (180 - 800 К), а рассеяние точечными дефектами (нейтральными и ионизированными атомами примеси) было незначительным. Кристаллы алмаза, выращенные из смеси, содержащей 0, 0005 - 0, 002 % ат. бора, и имеющие безупречное качество и решеточный механизм рассеяния, могут рассматриваться как образцовый полупроводник.
Год издания: 2017
Авторы: Бормашов В. С. , Тарелкин С. А. , Буга С. Г. , Волков А. П. , Голованов А. В. , Кузнецов М. С. , Корнилов Н. В. , Тетерук Д. В. , Терентьев С. А. , Бланк В. Д.
Источник: Заводская лаборатория. Диагностика материалов
Выпуск: Т. 83, № 1, ч. 1
Номера страниц: 36-42
Количество экземпляров:
  • Читальный зал (пер. Вузовский, 6Д): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие публикации

Электрофизическиесвойствасинтетическихмонокристаллов алмазас различнойконцентрациейлегирующей примесибора Бормашов В. С.Тарелкин С. А.Кузнецов М. С.2013 год

Электрофизические свойства синтетических монокристаллов алмаза с различной концентрацией…

  • Бормашов В. С. и др.
  • 2013 год
Исследование влияниякристаллографическогонаправлениясинтетическогомонокристалла алмазана коэффициентвторичной… Садовой Владимир ЮрьевичБланк Владимир ДавыдовичТерентьев Сергей Александрович2016 год

Исследование влияния кристаллографического направления синтетического монокристалла алмаза на…

  • Садовой Владимир Юрьевич и др.
  • 2016 год
Упругие свойствамонокристалласинтетического алмаза Сорокин Б. П.Квашнин Г. М.Теличко А. В.2013 год

Упругие свойства монокристалла синтетического алмаза

  • Сорокин Б. П. и др.
  • 2013 год
Технологияизготовления СВЧпьезоэлектрическихпреобразователей наоснове пленки AIN,нанесенной наподложку из… Сорокин Б. П.Квашнин Г. М.Бормашов В. С.2014 год

Технология изготовления СВЧ пьезоэлектрических преобразователей на основе пленки AIN, нанесенной…

  • Сорокин Б. П. и др.
  • 2014 год
Реактивное ионноетравление поверхностисинтетическогомонокристалла алмазав плазме Бормашов В. С.Волков А. П.Голованов А. В.2012 год

Реактивное ионное травление поверхности синтетического монокристалла алмаза в плазме

  • Бормашов В. С. и др.
  • 2012 год
Формированиерельефных структур наповерхностимонокристалловсинтетического алмазаметодом реактивногоионного… Бормашов В. С.Голованов А. В.Волков А. П.2013 год

Формирование рельефных структур на поверхности монокристаллов синтетического алмаза методом…

  • Бормашов В. С. и др.
  • 2013 год

Phase Velocities of Ultrasound Waves and Elastic Modules in the IIb Type Synthetic Diamond Single…

  • Kvashnin Gennady и др.
  • 2018 год
Создание развитойповерхностисинтетическихмонокристаллов алмазадля повышенияудельной мощностибета-вольтаических… Голованов Антон ВладимировичБормашов Виталий СергеевичВолков Александр Павлович2016 год

Создание развитой поверхности синтетических монокристаллов алмаза для повышения удельной мощности…

  • Голованов Антон Владимирович и др.
  • 2016 год

Показать ещё

Энергетическая релаксация квазичастиц в сверхпроводниковых пленках нитрида титана и легированных…

  • Кардакова А. И. и др.
  • 2017 год
Легирование алмаза,выращенного методомгазофазного осаждения Тетерук Д. В.Тарелкин С. А.Бормашов В. С.2014 год

Легирование алмаза, выращенного методом газофазного осаждения

  • Тетерук Д. В. и др.
  • 2014 год
Влияние материалаконтейнера напьезоэлектрические иакустическиехарактеристикикристаллов лангасита Наими Е. К.Степанова В. А.2014 год

Влияние материала контейнера на пьезоэлектрические и акустические характеристики кристаллов…

  • Наими Е. К. и др.
  • 2014 год

Высокие давления в твердофазном синтезе веществ и материалов

  • Булычев Борис Михайлович и др.
  • 2018 год
Кристаллизация алмаза Дерягин Борис ВладимировичВаршавская Ираида ГермановнаСеменова-Тян-Шанская АльбинаСергеевна1984 год

Кристаллизация алмаза

  • Дерягин Борис Владимирович и др.
  • 1984 год
Физические иакустические свойствасинтетическогомонокристалла алмазаII а типа и слоистыхпьезоэлектрических… Теличко Арсений Витальевич2015 год

Физические и акустические свойства синтетического монокристалла алмаза II а типа и слоистых…

  • Теличко Арсений Витальевич
  • 2015 год