Библиографическое описание:Определение параметров центров рекомбинации в силовых полупроводниковых приборах / С. В. Булярский [и др.]. - (Исследование структуры и свойств) (Физические методы исследования и контроля). - Текст : непосредственный // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2015. - Т. 81, № 4. - С. 26-30. - Библиогр.: с. 30 (8 назв. ). - ISSN 1028-6861.
Аннотация:Описаны новые дифференциальные методы определения параметров центров рекомбинации, создающих глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводника на примере примеси золота в кремнии. Апробация показала достаточно высокую точность предлагаемых методик обработки вольтамперных характеристик с систематической погрешностью не более 0, 05 эВ для энергии активации глубоких уровней. Учитывая простоту метода и доступность оборудования, можно рекомендовать диагностики рекомбинационных центров в силовых полупроводниковых приборах большой мощности, когда применение емкостных методов затруднительно.
