1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Заводская лаборатория. Диагностика материалов»
  5. Выпуск 2015 г. Том 81. № 4
Определениепараметров центроврекомбинации всиловыхполупроводниковыхприборах Булярский С. В.Жуков А. В.Ермаков М. С.2015 год

Определение параметров центров рекомбинации в силовых полупроводниковых приборах
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (О-624)
Библиографическое описание: Определение параметров центров рекомбинации в силовых полупроводниковых приборах / С. В. Булярский [и др.]. - (Исследование структуры и свойств) (Физические методы исследования и контроля). - Текст : непосредственный // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2015. - Т. 81, № 4. - С. 26-30. - Библиогр.: с. 30 (8 назв. ). - ISSN 1028-6861.
Аннотация: Описаны новые дифференциальные методы определения параметров центров рекомбинации, создающих глубокие уровни в запрещенной зоне полупроводника на примере примеси золота в кремнии. Апробация показала достаточно высокую точность предлагаемых методик обработки вольтамперных характеристик с систематической погрешностью не более 0, 05 эВ для энергии активации глубоких уровней. Учитывая простоту метода и доступность оборудования, можно рекомендовать диагностики рекомбинационных центров в силовых полупроводниковых приборах большой мощности, когда применение емкостных методов затруднительно.
Год издания: 2015
Авторы: Булярский С. В. , Жуков А. В. , Ермаков М. С. , Лакалин А. В. , Сергеева О. А.
Источник: Заводская лаборатория. Диагностика материалов
Выпуск: Т. 81, № 4
Номера страниц: 26-30
Количество экземпляров:
  • Читальный зал (пер. Вузовский, 6Д): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие публикации

Монтаж кристаллов всиловыхполупроводниковыхприборах Зенин В. В.Землянский А. И.Бокарев Д. И.2017 год

Монтаж кристаллов в силовых полупроводниковых приборах

  • Зенин В. В. и др.
  • 2017 год
Производственныйконтроль качествасиловыхполупроводниковыхприборов иинформативныепараметры ихнадёжности Ефанов А. В.Ершов А. Б.Шемякин В. Н.2019 год

Производственный контроль качества силовых полупроводниковых приборов и информативные параметры…

  • Ефанов А. В. и др.
  • 2019 год
Современные методы исредстванеразрушающегоконтроля качествасиловыхполупроводниковыхприборов Хорольский В. Я.Ершов А. Б.Ефанов А. В.2016 год

Современные методы и средства неразрушающего контроля качества силовых полупроводниковых приборов

  • Хорольский В. Я. и др.
  • 2016 год
Статистическаявзаимосвязь основныхпараметров силовыхполупроводниковыхприборов и режимовработыпреобразовательных… Иньков Ю. М.Клячко Л. М.Сачкова Е. В.2016 год

Статистическая взаимосвязь основных параметров силовых полупроводниковых приборов и режимов…

  • Иньков Ю. М. и др.
  • 2016 год
Повышениеэффективностиохлаждения силовыхполупроводниковыхприборов Грищенко А. В.Киселёв И. Г.Корнев А. С.2016 год

Повышение эффективности охлаждения силовых полупроводниковых приборов

  • Грищенко А. В. и др.
  • 2016 год
Выбор силовыхполупроводниковыхприборов дляпараллельногосоединения Ильин М. В.Беспалов Н. Н.Капитонов С. С.2017 год

Выбор силовых полупроводниковых приборов для параллельного соединения

  • Ильин М. В. и др.
  • 2017 год
Контроль тепловогорежима силовыхполупроводниковыхприборов сиспользованиемконцепции переходноготеплового импеданса Ершов А. Б.Хорольский В. Я.Атанов И. В.2019 год

Контроль теплового режима силовых полупроводниковых приборов с использованием концепции…

  • Ершов А. Б. и др.
  • 2019 год

Контактный теплообмен силовых полупроводниковых приборов

  • Гува Аркадий Яковлевич
  • 2025 год

Показать ещё

Электрически активныецентры захватаносителей заряда внеполярных и полярныхполимерныхдиэлектриках Новиков Г. К.Федчишин В. В.2016 год

Электрически активные центры захвата носителей заряда в неполярных и полярных полимерных…

  • Новиков Г. К. и др.
  • 2016 год
Выбор способа нагревасиловыхполупроводниковыхприборов при ихиспытании в состояниивысокой проводимости Капитонов С. С.Беспалов Н. Н.Ильин М. В.2017 год

Выбор способа нагрева силовых полупроводниковых приборов при их испытании в состоянии высокой…

  • Капитонов С. С. и др.
  • 2017 год
О реализациидополнительныхфункций установок дляиспытания силовыхполупроводниковыхприборов импульснымтоком Аникуев Сергей ВикторовичКостюкова Елена ИвановнаНикитенко ГеннадийВладимирович2021 год

О реализации дополнительных функций установок для испытания силовых полупроводниковых приборов…

  • Аникуев Сергей Викторович и др.
  • 2021 год
Экспериментальноеопределениекоэффициентовчисленно-аналитической моделиэлектрофизическихпроцессов в силовых… Ершов А. Б.Шарипов И. К.Габриелян Ш. Ж.2018 год

Экспериментальное определение коэффициентов численно-аналитической модели электрофизических…

  • Ершов А. Б. и др.
  • 2018 год
Силовыеполупроводниковыесистемы для нуждмалой генерации Самойленко В. О.Паздерин А. В.2014 год

Силовые полупроводниковые системы для нужд малой генерации

  • Самойленко В. О. и др.
  • 2014 год

Силовая полупроводниковая элементная база. Технология производства. Конструктивные решения

  • Фролов В. Я. и др.
  • 2023 год
Комплексная системарасчетно-экспериментального определенияусловий и параметровпредельных состояний Махутов Н. А.2017 год

Комплексная система расчетно-экспериментального определения условий и параметров предельных…

  • Махутов Н. А.
  • 2017 год
Анализ показателейнадежности типичногополупроводниковогоустройства силовойэлектротехники Кузнецов Г. В.Кравченко Е. В.Прибатурин Н. А.2016 год

Анализ показателей надежности типичного полупроводникового устройства силовой электротехники

  • Кузнецов Г. В. и др.
  • 2016 год