Библиографическое описание:Морозов, Александр Игоревич. Принципы создания магнитной памяти нового поколения / А. И. Морозов, А. С. Сигов. - (С кафедры Президиума РАН). - Текст : непосредственный // Вестник Российской академии наук. - 2014. - Т. 84, № 11. - С. 973-979 : 2 портр., 5 рис. - Библиогр. в конце ст. (30 назв.). - ISSN 0869-5873.
Аннотация:В центре внимания авторов - создание магниторезистивной памяти с записью электрическим током.
