Библиографическое описание:Математическая модель влияния варизонности на профиль концентрации носителей полупроводниковых структур / В. Б. Байбурин [и др.]. - (Микроволновая техника (работы ученых г. Саратова)). - Текст : непосредственный // Радиотехника. - 2018. - № 9. - С. 87-92. - Библиогр.: с. 91-92 (10 назв.). - ISSN 0033-8486.
Аннотация:Рассмотрена модель варизонной структуры, в которой происходит переключение каналов рекомбинации ввиду затягивания внутренним электрическим полем носителей в область с малой скоростью рекомбинации.
