1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Радиотехника»
  5. Выпуск 2017 г. № 7
Моделированиехарактеристикбиполярноготранзистора 2Т937 Апин М. П.Балаболин А. Г.Хвалин А. Л.2017 год

Моделирование характеристик биполярного транзистора 2Т937
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (А 764)
Библиографическое описание: Апин, М. П. Моделирование характеристик биполярного транзистора 2Т937. Ч. 1. Статистические характеристики / М. П. Апин, А. Г. Балаболин, А. Л. Хвалин. - (Микроволновая техника (работы ученых г. Саратова)). - Текст : непосредственный // Радиотехника. - 2017. - № 7. - С. 125-128. - Библиогр.: с. 128 (17 назв.). - ISSN 0033-8486.
Аннотация: Отмечено, что отечественные транзисторы не имеют компьютерных моделей совместимых с современными системами автоматизированного проектирования.
Год издания: 2017
Авторы: Апин М. П. , Балаболин А. Г. , Хвалин А. Л.
Источник: Радиотехника
Выпуск: № 7
Номера страниц: 125-128
Количество экземпляров:
  • Читальный зал военных наук (Академгородок, 13а, 1 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие публикации

Моделированиехарактеристикбиполярноготранзистора 2Т937 Апин М. П.Балаболин А. Г.Хвалин А. Л.2017 год

Моделирование характеристик биполярного транзистора 2Т937 : статья из журнала

  • Апин М. П. и др.
  • 2017 год
Оптимизацияхарактеристикусилителя мощности наотечественныхбиполярныхтранзисторах вдиапазоне от 1 до 2ГГц Апин М. П.Кудряшов Г. В.Хвалин А. Л.2018 год

Оптимизация характеристик усилителя мощности на отечественных биполярных транзисторах в диапазоне… : статья из журнала

  • Апин М. П. и др.
  • 2018 год
Аналитическоепредставлениехарактеристикбиполярныхтранзисторов Китаев А. Е.2017 год

Аналитическое представление характеристик биполярных транзисторов : статья из журнала

  • Китаев А. Е.
  • 2017 год
Исследование скоростирадиационнойдеградации кремниевыхи SiGe биполярныхтранзисторов Фелицын ВладиславАлександровичБакеренков Александр СергеевичРодин Александр Сергеевич2016 год

Исследование скорости радиационной деградации кремниевых и SiGe биполярных транзисторов : статья из журнала

  • Фелицын Владислав Александрович и др.
  • 2016 год
Моделированиеширокополосноготермостабилизированного усилительногомодуля в диапазонечастот 1...2ГГц Чесакова В. С.Сотов Л. С.2017 год

Моделирование широкополосного термостабилизированного усилительного модуля в диапазоне частот 1….. : статья из журнала

  • Чесакова В. С. и др.
  • 2017 год
Характеристикаэлектромагнитнойсовместимостималошумящегоусилителя набиополярномтранзисторе сгетеропереходом при… Бобрешов А. М.Коровченко И. С.Степкин В. А.2016 год

Характеристика электромагнитной совместимости малошумящего усилителя на биополярном транзисторе с… : статья из журнала

  • Бобрешов А. М. и др.
  • 2016 год
Влияние отжига нахарактеристикибиполярныхтранзисторов какчувствительныхэлементов датчиковпоглощенной дозы Бакеренков Александр СергеевичРодин Александр СергеевичПершенков Вячеслав Сергеевич2018 год

Влияние отжига на характеристики биполярных транзисторов как чувствительных элементов датчиков… : статья из журнала

  • Бакеренков Александр Сергеевич и др.
  • 2018 год
Сравнение средних повремени потерьмощности в биполярныхтранзисторах сизолированнымзатвором икомбинированных СИТ… Кюрегян А. С.Горбатюк А. В.Иванов Б. В.2017 год

Сравнение средних по времени потерь мощности в биполярных транзисторах с изолированным затвором и… : статья из журнала

  • Кюрегян А. С. и др.
  • 2017 год

Показать ещё

Методика анализаширокополосныхсвойств мощныхСВЧ-транзисторов Куршев П. Л.Бормонтов Е. Н.2017 год

Методика анализа широкополосных свойств мощных СВЧ-транзисторов : статья из журнала

  • Куршев П. Л. и др.
  • 2017 год
Прогнозированиеработоспособностикомпараторовнапряжения набиполярныхтранзисторах вусловияхкосмического… Першенков Вячеслав СергеевичБакеренков Александр СергеевичСоломатин Анатолий Владленович2015 год

Прогнозирование работоспособности компараторов напряжения на биполярных транзисторах в условиях… : статья из журнала

  • Першенков Вячеслав Сергеевич и др.
  • 2015 год
Стенд для оперативнойпроверки БТИЗ иМОП-транзисторов Рычихин С.2024 год

Стенд для оперативной проверки БТИЗ и МОП-транзисторов : статья из журнала

  • Рычихин С.
  • 2024 год
Влияние параметроврежима работы наэнергетическиехарактеристикисубмодулей выходныхусилителей мощностиX-диапазона Тарасов Р. Г.Сергеев В. А.Куликов А. А.2019 год

Влияние параметров режима работы на энергетические характеристики субмодулей выходных усилителей… : статья из журнала

  • Тарасов Р. Г. и др.
  • 2019 год
Проектирование мощныхширокополосныхусилителей наотечественнойэлементной базе вдиапазоне 1...2ГГц Апин М. П.Балаболин А. Г.Хвалин А. Л.2016 год

Проектирование мощных широкополосных усилителей на отечественной элементной базе в диапазоне 1….. : статья из журнала

  • Апин М. П. и др.
  • 2016 год
Анализ методаизмеренияS-параметровтранзисторов СВЧ Рясный Ю. В.Чашков М. С.Борисов А. В.2012 год

Анализ метода измерения S-параметров транзисторов СВЧ : статья из журнала

  • Рясный Ю. В. и др.
  • 2012 год
Измерительныйкомплекс для контроляхарактеристиксубмодулей выходныхусилителей мощностиприемопередающихмодулей… Тарасов Р. Г.Сергеев В. А.2018 год

Измерительный комплекс для контроля характеристик субмодулей выходных усилителей мощности… : статья из журнала

  • Тарасов Р. Г. и др.
  • 2018 год
Обзор методовизмеренияS-параметровтранзисторов СВЧ и ихсравнительный анализ Савелькаев С. В.2018 год

Обзор методов измерения S-параметров транзисторов СВЧ и их сравнительный анализ : статья из журнала

  • Савелькаев С. В.
  • 2018 год