1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Радиотехника»
  5. Выпуск 2017 г. № 7
Моделированиеширокополосноготермостабилизированного усилительногомодуля в диапазонечастот 1...2ГГц Чесакова В. С.Сотов Л. С.2017 год

Моделирование широкополосного термостабилизированного усилительного модуля в диапазоне частот 1...2ГГц
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (Ч-510)
Библиографическое описание: Чесакова, В. С. Моделирование широкополосного термостабилизированного усилительного модуля в диапазоне частот 1...2ГГц / В. С. Чесаков, Л. С. Сотов. - (Микроволновая техника (работы ученых г. Саратова)). - Текст : непосредственный // Радиотехника. - 2017. - № 7. - С. 122-124. - Библиогр.: с. 124 (7 назв.). - ISSN 0033-8486.
Аннотация: Представлены результаты исследований влияния температуры на коэффициенты передачи и стоячей волны однокаскадного усилительного модуля на 2 Вт в диапазоне частот от 1 до 2 ГГц, выполненного на транзисторе 2Т937.
Год издания: 2017
Авторы: Чесакова В. С. , Сотов Л. С.
Источник: Радиотехника
Выпуск: № 7
Номера страниц: 122-124
Количество экземпляров:
  • Читальный зал военных наук (Академгородок, 13а, 1 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие документы

Моделированиехарактеристикбиполярноготранзистора 2Т937 Апин М. П.Балаболин А. Г.Хвалин А. Л.2017 год

Моделирование характеристик биполярного транзистора 2Т937

  • Апин М. П. и др.
  • 2017 год
Моделированиехарактеристикбиполярноготранзистора 2Т937 Апин М. П.Балаболин А. Г.Хвалин А. Л.2017 год

Моделирование характеристик биполярного транзистора 2Т937

  • Апин М. П. и др.
  • 2017 год
Оптимизацияхарактеристикусилителя мощности наотечественныхбиполярныхтранзисторах вдиапазоне от 1 до 2ГГц Апин М. П.Кудряшов Г. В.Хвалин А. Л.2018 год

Оптимизация характеристик усилителя мощности на отечественных биполярных транзисторах в диапазоне от 1 до 2 ГГц

  • Апин М. П. и др.
  • 2018 год
Проектирование мощныхширокополосныхусилителей наотечественнойэлементной базе вдиапазоне 1...2ГГц Апин М. П.Балаболин А. Г.Хвалин А. Л.2016 год

Проектирование мощных широкополосных усилителей на отечественной элементной базе в диапазоне 1...2ГГц

  • Апин М. П. и др.
  • 2016 год
Методика анализаширокополосныхсвойств мощныхСВЧ-транзисторов Куршев П. Л.Бормонтов Е. Н.2017 год

Методика анализа широкополосных свойств мощных СВЧ-транзисторов

  • Куршев П. Л. и др.
  • 2017 год
Разработкаусилительных схем вдиапазонах С, Х, Kuна усилительныхширокополосныхмодулях УМШ тип I итип II Олейник А. С.Титков А. А.Пенькевич Н. А.2019 год

Разработка усилительных схем в диапазонах С, Х, Ku на усилительных широкополосных модулях УМШ тип I и тип II

  • Олейник А. С. и др.
  • 2019 год
Обзор методовизмеренияS-параметровтранзисторов СВЧ и ихсравнительный анализ Савелькаев С. В.2018 год

Обзор методов измерения S-параметров транзисторов СВЧ и их сравнительный анализ

  • Савелькаев С. В.
  • 2018 год
Анализэксплуатационныхвыходов из строяширокополосныхСВЧ-усилителей наоснове ЛБВ привзаимодействии с… Доперальский В. В.Данилов А. Б.2019 год

Анализ эксплуатационных выходов из строя широкополосных СВЧ-усилителей на основе ЛБВ при взаимодействии с радиоэлектронной аппаратурой

  • Доперальский В. В. и др.
  • 2019 год
Влияние параметроврежима работы наэнергетическиехарактеристикисубмодулей выходныхусилителей мощностиX-диапазона Тарасов Р. Г.Сергеев В. А.Куликов А. А.2019 год

Влияние параметров режима работы на энергетические характеристики субмодулей выходных усилителей мощности X-диапазона

  • Тарасов Р. Г. и др.
  • 2019 год
Анализ методаизмеренияS-параметровтранзисторов СВЧ Рясный Ю. В.Чашков М. С.Борисов А. В.2012 год

Анализ метода измерения S-параметров транзисторов СВЧ

  • Рясный Ю. В. и др.
  • 2012 год
Измерительныйкомплекс для контроляхарактеристиксубмодулей выходныхусилителей мощностиприемопередающихмодулей… Тарасов Р. Г.Сергеев В. А.2018 год

Измерительный комплекс для контроля характеристик субмодулей выходных усилителей мощности приемопередающих модулей АФАР X-диапазона

  • Тарасов Р. Г. и др.
  • 2018 год
Влияние отжига нахарактеристикибиполярныхтранзисторов какчувствительныхэлементов датчиковпоглощенной дозы Бакеренков Александр СергеевичРодин Александр СергеевичПершенков Вячеслав Сергеевич2018 год

Влияние отжига на характеристики биполярных транзисторов как чувствительных элементов датчиков поглощенной дозы

  • Бакеренков Александр Сергеевич и др.
  • 2018 год