Перейти к основному содержанию
Библиотечно-издательский комплекс СФУ
Toggle navigation
Ресурсы
Библиотечный поиск
Каталог изданий университета
Университетские информационные ресурсы
Российские информационные ресурсы
Мировые информационные ресурсы
Ресурсы открытого доступа
Периодические издания
Тематические путеводители
Книгообеспеченность учебного процесса
Приобретение литературы
Читателю
Регистрация читателей
Получение и возврат литературы
Межбиблиотечный абонемент
Тематические путеводители
Обучение работе с ресурсами
Доступная среда библиотеки
Подарить книгу библиотеке
Автору
Правила издания рукописей
План выпуска изданий
Размещение публикаций в библиотеке, репозитории, РИНЦ
Проверка
журнала
Служба поддержки публикационной
активности
Учёт публикаций в АИС
«Прометей»
Услуги
Справочник услуг и сервисов БИК
Новая заявка на услугу
Бронирование помещений
Контакты
Адреса и режим работы
Подразделения
Сотрудники
Вопрос-Ответ
Отправить отзыв
Ещё
О Научной библиотеке
Об Издательстве
Дилерство «САБ ИРБИС»
Красноярский ИРБИС-клуб
Литературный клуб «Высокий берег»
Подкаст «Пища для ума»
Вакансии
Часто задаваемые вопросы
Мобильное приложение
Карта сайта и поиск по сайту
Онлайн-медиа Научной библиотеки
Личный кабинет
Главная
Ресурсы
Библиотечный поиск
Журнал «Радиотехника»
Выпуск 2017 г. № 6
Измерение теплового
импеданса мощных
транзисторов
Смирнов В. И.
Сергеев В. А.
Гавриков А. А.
2017 год
Измерение теплового импеданса мощных транзисторов
статья из журнала
Заказать копию статьи
База данных:
Каталог библиотеки СФУ
(И 374)
Библиографическое описание:
Измерение теплового импеданса мощных транзисторов / В. И. Смирнов [и др.]. - (Автоматизированное проектирование, моделирование и эксплуатация технических, гуманистических и вычислительных систем). - Текст : непосредственный // Радиотехника. - 2017. - № 6. - С. 83-89. - Библиогр.: 89 (12 назв.). - ISSN 0033-8486.
Скопировать
Аннотация:
Представлены результаты измерения теплового импеданса мощных MOSFET- и IGBT-транзисторов.
Год издания:
2017
Авторы:
Смирнов В. И.
,
Сергеев В. А.
,
Гавриков А. А.
,
Шорин А. М.
Источник:
Радиотехника
Выпуск:
№ 6
Номера страниц:
83-89
Количество экземпляров:
ЭЧЗ.6вн:
свободно 1
из 1 экземпляров
Показать дополнительные сведения
Ключевые слова:
мощные транзисторы, тепловое сопротивление, тепловой импеданс, модуляция мощности
Рубрики:
Радиоэлектроника,
Кибернетика
ISSN:
0033-8486
Идентификаторы:
полочный индекс И 374, шифр
rdth/2017/6-766523427