1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Радиотехника»
  5. Выпуск 2017 г. № 5
Исследованиелокализованныхсостояний в барьерныхструктурах элементовэлектроники на основеаморфногогидрированногокремния Вихров С. П.Вишняков Н. В.Гудзев В. В.2017 год

Исследование локализованных состояний в барьерных структурах элементов электроники на основе аморфного гидрированного кремния
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (И 889)
Библиографическое описание: Исследование локализованных состояний в барьерных структурах элементов электроники на основе аморфного гидрированного кремния / С. П. Вихров [и др.]. - (Научные достижения Рязанского государственного радиотехнического университета (РГРТУ)). - Текст : непосредственный // Радиотехника. - 2017. - № 5. - С. 186-191. - Библиогр.: с. 192 (11 назв.). - ISSN 0033-8486.
Аннотация: Рассмотрены возможности токовой релаксационной спектроскопии глубоких уровней и метода компенсации тока нестационарной фотопроводимости.
Год издания: 2017
Авторы: Вихров С. П. , Вишняков Н. В. , Гудзев В. В. , Литвинов В. Г. , Мишустин В. Г.
Источник: Радиотехника
Выпуск: № 5
Номера страниц: 186-191
Количество экземпляров:
  • Читальный зал военных наук (Академгородок, 13а, 1 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие публикации

Обработкаэкспоненциальногорелаксационногосигнала вспектроскопическихметодах исследованияполупроводниковых… Ермачихин А. В.Трусов Е. П.Гудзев В. В.2023 год

Обработка экспоненциального релаксационного сигнала в спектроскопических методах исследования…

  • Ермачихин А. В. и др.
  • 2023 год
Влияниелокализованныхсостояний наэффективную высотупотенциальногобарьера"металл-аморфныйгидрогенизированный… Вишняков Н. В.2019 год

Влияние локализованных состояний на эффективную высоту потенциального барьера "металл-аморфный…

  • Вишняков Н. В.
  • 2019 год