Исследование особенностей применения в СВЧ-устройствах мощных транзисторов на основе GaN-гетероструктурстатья из журнала
Похожие публикации
Стратегия технологического менеджмента в условиях импульсного производства : статья из журнала
- Тушнов П. А. и др.
- 2017 год
Моделирование производственного цикла изготовления приемо-передающих модулей активных… : статья из журнала
- Невокшенов А. В. и др.
- 2021 год
Исследование влияния конструктивных факторов на электрические параметры интегральных… : статья из журнала
- Тушнов П. А. и др.
- 2020 год
Калибровка многоканальных ФАР по перекрывающимся группам каналов : статья из журнала
- Шитиков А. М. и др.
- 2019 год
Испытание теплового макета корпуса приемопередающего модуля АФАР со встроеными каналами… : статья из журнала
- Токмаков Д. И. и др.
- 2019 год
Моделирование системы радиоэлектронной борьбы при постановке когерентных помех : статья из журнала
- Калябин Е. В. и др.
- 2021 год
Особенности процессов эпитаксиального роста наногетероструктур InAlN/InGaN для СВЧ-транзисторов… : статья из журнала
- Арендаренко А. А. и др.
- 2016 год