Библиографическое описание:Тушнов, П. А. Исследование особенностей применения в СВЧ-устройствах мощных транзисторов на основе GaN-гетероструктур / П. А. Тушнов, В. С. Бердыев, О. А. Геворгян. - (Аппаратура и испытания). - Текст : непосредственный // Радиотехника. - 2017. - № 4. - С. 33-43. - Библиогр.: с. 43 (30 назв.). - ISSN 0033-8486.
Аннотация:Представлено исследование режимов работы усилителя на типовом DaN-транзисторе, в частности, исследование амплитудных характеристик и КПД усилителей.
