1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Радиотехника»
  5. Выпуск 2017 г. № 10
Аналитическоепредставлениехарактеристикбиполярныхтранзисторов Китаев А. Е.2017 год

Аналитическое представление характеристик биполярных транзисторов
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (К 450)
Библиографическое описание: Китаев, А. Е. Аналитическое представление характеристик биполярных транзисторов / А. Е. Китаев. - (В помощь инженеру). - Текст : непосредственный // Радиотехника. - 2017. - № 10. - С. 189-193. - Библиогр.: с. 193 (7 назв.). - ISSN 0033-8486.
Аннотация: Представлено выражение, уточняющее формулу Шокли для вольт-амперной характеристики полупроводникового диода.
Год издания: 2017
Авторы: Китаев А. Е.
Источник: Радиотехника
Выпуск: № 10
Номера страниц: 189-193
Количество экземпляров:
  • Читальный зал военных наук (Академгородок, 13а, 1 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие документы

Моделированиехарактеристикбиполярноготранзистора 2Т937 Апин М. П.Балаболин А. Г.Хвалин А. Л.2017 год

Моделирование характеристик биполярного транзистора 2Т937

  • Апин М. П. и др.
  • 2017 год
Моделированиехарактеристикбиполярноготранзистора 2Т937 Апин М. П.Балаболин А. Г.Хвалин А. Л.2017 год

Моделирование характеристик биполярного транзистора 2Т937

  • Апин М. П. и др.
  • 2017 год
Оптимизацияхарактеристикусилителя мощности наотечественныхбиполярныхтранзисторах вдиапазоне от 1 до 2ГГц Апин М. П.Кудряшов Г. В.Хвалин А. Л.2018 год

Оптимизация характеристик усилителя мощности на отечественных биполярных транзисторах в диапазоне…

  • Апин М. П. и др.
  • 2018 год
Стенд для оперативнойпроверки БТИЗ иМОП-транзисторов Рычихин С.2024 год

Стенд для оперативной проверки БТИЗ и МОП-транзисторов

  • Рычихин С.
  • 2024 год
Математическая модельвольт-ампернойхарактеристикиспин-туннельноймагнитной структуры Туркин Я. В.Захаров А. А.Швачко А. А.2016 год

Математическая модель вольт-амперной характеристики спин-туннельной магнитной структуры

  • Туркин Я. В. и др.
  • 2016 год
Исследование скоростирадиационнойдеградации кремниевыхи SiGe биполярныхтранзисторов Фелицын ВладиславАлександровичБакеренков Александр СергеевичРодин Александр Сергеевич2016 год

Исследование скорости радиационной деградации кремниевых и SiGe биполярных транзисторов

  • Фелицын Владислав Александрович и др.
  • 2016 год
Методика анализаширокополосныхсвойств мощныхСВЧ-транзисторов Куршев П. Л.Бормонтов Е. Н.2017 год

Методика анализа широкополосных свойств мощных СВЧ-транзисторов

  • Куршев П. Л. и др.
  • 2017 год
Влияние отжига нахарактеристикибиполярныхтранзисторов какчувствительныхэлементов датчиковпоглощенной дозы Бакеренков Александр СергеевичРодин Александр СергеевичПершенков Вячеслав Сергеевич2018 год

Влияние отжига на характеристики биполярных транзисторов как чувствительных элементов датчиков…

  • Бакеренков Александр Сергеевич и др.
  • 2018 год
Сравнительный анализстатическиххарактеристикбиполярныхтранзисторов сизолированнымзатвором и тиристоровс… Бономорский О. И.Кюрегян А. С.Горбатюк А. В.2015 год

Сравнительный анализ статических характеристик биполярных транзисторов с изолированным затвором и…

  • Бономорский О. И. и др.
  • 2015 год
Характеристикиэлектрической дугипеременного тока Миронов Ю. М.2011 год

Характеристики электрической дуги переменного тока

  • Миронов Ю. М.
  • 2011 год
Пробник длятранзисторов Нечаев И.2020 год

Пробник для транзисторов

  • Нечаев И.
  • 2020 год
Вычислениепоглощеннойфотодиодом мощностиизлучения по егоэкспериментальнымвольт-ампернымхарактеристикам Ковалев А. А.Либерман А. А.Микрюков А. С.2012 год

Вычисление поглощенной фотодиодом мощности излучения по его экспериментальным вольт-амперным…

  • Ковалев А. А. и др.
  • 2012 год