Новая физическая твердотельная электроника на основе терагерцевого расщепления и деформации запрещенной зоны LPE SiGaAsSi-кристалловстатья из журнала
Похожие публикации
Фаза со структурным типом шпинели в пластически деформированном никелиде титана
- Носков Ф. М. и др.
- 2017 год
Исследование путей и создание инновационной технологии сварки серебряных токовыводов к контактным…
- Садковская Н. Е. и др.
- 2020 год
Синтез тонких пленок на основе ZnO, допированных Ga, In, и определение их состава методами…
- Филатова Д. Г. и др.
- 2016 год
Влияние материала контейнера на пьезоэлектрические и акустические характеристики кристаллов…
- Наими Е. К. и др.
- 2014 год