Новая физическаятвердотельнаяэлектроника на основетерагерцевогорасщепления идеформациизапрещенной зоны LPESiGaAsSi-кристаллов Гордеев А. И.Войтович В. Е.Звонарев А. В.2017 год

Новая физическая твердотельная электроника на основе терагерцевого расщепления и деформации запрещенной зоны LPE SiGaAsSi-кристаллов
статья из журнала