1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Радиотехника»
  5. Выпуск 2016 г. № 1
МИС СВЧ-переключательна SiC pin-диодах Вьюгинов В. Н.Гудков А. Г.Видякин С. И.2016 год

МИС СВЧ-переключатель на SiC pin-диодах
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ
Библиографическое описание: МИС СВЧ-переключатель на SiC pin-диодах / В. Н. Вьюгинов [и др.]. - (Распространение радиоволн и техника СВЧ). - Текст : непосредственный // Радиотехника. - 2016. - № 1. - С. 110-112. - Библиогр.: с. 112 (12 назв.). - ISSN 0033-8486.
Аннотация: Сформулированы основные требования к параметрам МИС СВЧ-переключателей на SiC hin-диодах.
Год издания: 2016
Авторы: Вьюгинов В. Н. , Гудков А. Г. , Видякин С. И. , Кузьмичев Ю. С.
Источник: Радиотехника
Выпуск: № 1
Номера страниц: 110-112
Количество экземпляров:
  • Читальный зал военных наук (Академгородок, 13а, 1 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие публикации

ДействиеСВЧ-излучения нахарактеристикиполупроводниковыхдиодов Шуренков Владимир Васильевич2016 год

Действие СВЧ-излучения на характеристики полупроводниковых диодов

  • Шуренков Владимир Васильевич
  • 2016 год
Исследованиегенератора налавинно-пролетномдиоде в различныхколебательныхсостояниях Алексеев Ю. И.Семерник И. В.2015 год

Исследование генератора на лавинно-пролетном диоде в различных колебательных состояниях

  • Алексеев Ю. И. и др.
  • 2015 год
Управляемыеpin-диодами фотонныекристаллы и ихприменение Усанов Д. А.Никитов С. А.Скрипаль А. В.2012 год

Управляемые pin-диодами фотонные кристаллы и их применение

  • Усанов Д. А. и др.
  • 2012 год
Исследованиечувствительностипараметровмалошумящихусилителей кперепадам температуры Вьюгинов В. Н.Гудков А. Г.Зыбин А. А.2016 год

Исследование чувствительности параметров малошумящих усилителей к перепадам температуры

  • Вьюгинов В. Н. и др.
  • 2016 год
Применение векторногоанализатора цепей дляизмерений параметровСВЧ pin-диодов Селезнев Б. И.Гудков Г. В.Штро А. В.2013 год

Применение векторного анализатора цепей для измерений параметров СВЧ pin-диодов

  • Селезнев Б. И. и др.
  • 2013 год
Методы измеренияпараметров излученияимпульсных линееклазерных диодов наоснове GaAs Гармаш В. М.Воронова К. А.2015 год

Методы измерения параметров излучения импульсных линеек лазерных диодов на основе GaAs

  • Гармаш В. М. и др.
  • 2015 год
Определениесобственных тепловыхсопротивлений силовыхтранзисторов и диодовIGBT модуля на основеего трёхмерной модели Ильин М. В.Вилков Е. А.Гуляев И. В.2019 год

Определение собственных тепловых сопротивлений силовых транзисторов и диодов IGBT модуля на…

  • Ильин М. В. и др.
  • 2019 год
ЛинеаризацияхарактеристикусилителейСВЧ-мощности на ЛБВ врежимах с высоким КПДс помощьюнемодулированного… Шалаев П. Д.2018 год

Линеаризация характеристик усилителей СВЧ-мощности на ЛБВ в режимах с высоким КПД с помощью…

  • Шалаев П. Д.
  • 2018 год

Показать ещё

Защитные устройстваСВЧ-диапазона набыстрой циклотроннойволне электронногопотока Будзинский Ю. А.Быковский С. В.Сиюхов Т. Ш.2013 год

Защитные устройства СВЧ-диапазона на быстрой циклотронной волне электронного потока

  • Будзинский Ю. А. и др.
  • 2013 год
Аналитическоепредставлениехарактеристикбиполярныхтранзисторов Китаев А. Е.2017 год

Аналитическое представление характеристик биполярных транзисторов

  • Китаев А. Е.
  • 2017 год
Исследованиехарактеристик плоскихантенных решеток СВЧи КВЧ диапазонов наоснове ленточныхструктур вытекающейволны Антипов С. А.Борисов Д. Н.Ерошенко Д. А.2014 год

Исследование характеристик плоских антенных решеток СВЧ и КВЧ диапазонов на основе ленточных…

  • Антипов С. А. и др.
  • 2014 год
ПрименениеХ-параметров дляпроектирования МИССВЧ-усилителей Безус С. В.Иващенко Д. И.Казачков В. В.2013 год

Применение Х-параметров для проектирования МИС СВЧ-усилителей

  • Безус С. В. и др.
  • 2013 год
Перспективныеконструкцииумножителей частотысубмиллиметровогодиапазона длинн волн Белькова Е. В.Федоркова Н. В.2017 год

Перспективные конструкции умножителей частоты субмиллиметрового диапазона длинн волн

  • Белькова Е. В. и др.
  • 2017 год
Электронныекомпоненты длядоработки иобновленияполупроводниковыхрадиоприемниковвыпуска 1970-1990 гг. Лохни Хайо2025 год

Электронные компоненты для доработки и обновления полупроводниковых радиоприемников выпуска 1970…

  • Лохни Хайо
  • 2025 год

Общая физика. Физика атомного ядра и частиц. Основы Дозиметрического контроля. Лабораторный…

  • Ершов Александр Андреевич и др.
  • 2024 год
Анализ тенденцийразвитиячип-резистивныхСВЧ-аттенюаторов Чижиков С. В.2017 год

Анализ тенденций развития чип-резистивных СВЧ-аттенюаторов

  • Чижиков С. В.
  • 2017 год