Библиографическое описание:Одноэлектронный транзистор из высоколегированного кремния на изоляторе / Д. Е. Преснов [и др.]. - (Нанотехнологии: разработка, применение). - Текст : непосредственный // Радиотехника. - 2014. - № 1. - С. 35-39. - Библиогр.: с. 39 (9 назв.). - ISSN 0033-8486.
Аннотация:Разработан метод изготовления одноэлектронного транзистора из высоколегированного мышьяком кремния на изоляторе (КНИ). Дан анализ возможности использования кремниевого одноэлектронного транзистора в качестве сверхчувствительного зарядового/полевого сенсора для широкого круга задач.
