Одноэлектронный транзистор из высоколегированного кремния на изоляторе

Преснов Д. Е.; Амитонов С. В.; Власенко В. С.; Крупенин В. А.

База данных: Каталог библиотеки СФУ

Библиографическое описание: Одноэлектронный транзистор из высоколегированного кремния на изоляторе / Д. Е. Преснов [и др.]. - (Нанотехнологии: разработка, применение). - Текст : непосредственный // Радиотехника. - 2014. - № 1. - С. 35-39. - Библиогр.: с. 39 (9 назв.). - ISSN 0033-8486.

Аннотация: Разработан метод изготовления одноэлектронного транзистора из высоколегированного мышьяком кремния на изоляторе (КНИ). Дан анализ возможности использования кремниевого одноэлектронного транзистора в качестве сверхчувствительного зарядового/полевого сенсора для широкого круга задач.

Год издания: 2014

Авторы: Преснов Д. Е. , Амитонов С. В. , Власенко В. С. , Крупенин В. А.

Источник: Радиотехника

Выпуск: № 1

Номера страниц: 35-39

Количество экземпляров:

Всего свободно 2 из 2 экземпляров.

Читальный зал военных наук (Академгородок, 13а, 1 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров
Абонемент научной литературы (пр. Свободный, 79, Б1-14): свободно 1 из 1 экземпляров

Показать дополнительные сведения

Сравнение средних по времени потерь мощности в биполярных транзисторах с изолированным затвором и комбинированных СИТ-МОП-транзисторах

Кюрегян А. С. и др.
2017 год

Растворение кислорода в германии в процессе выращивания монокристаллов

Подкопаев О. И. и др.
2012 год

Исследование локализованных состояний в барьерных структурах элементов электроники на основе аморфного гидрированного кремния

Вихров С. П. и др.
2017 год

Математическая модель влияния варизонности на профиль концентрации носителей полупроводниковых структур

Байбурин В. Б. и др.
2018 год

Перспективы применения ВТСП-технологий для электроэнергетического комплекса транспортных средств

Татуйко Павел Станиславович и др.
2021 год

Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений, применяемых в СВЧ-транзисторах с высокой удельной выходной мощностью

Буробин В. А. и др.
2014 год

Возможности методов сканирующей и просвечивающей электронной микроскопии для сравнительного анализа микроструктуры нанокомпозиционных высокопрочных проводников in situ на основе медной матрицы и ОЦК-металлов

Никулин С. А. и др.
2016 год

Выбор методов и норм высоковольтных испытаний полимерных изоляторов

Вариводов В. Н. и др.
2023 год

Силовые полупроводниковые системы для нужд малой генерации

Самойленко В. О. и др.
2014 год

Комплексная дистанционная диагностика состояния высоковольтных изоляторов

Голенищев-Кутузов Александр Вадимович и др.
2013 год

Выбор способа нагрева силовых полупроводниковых приборов при их испытании в состоянии высокой проводимости

Капитонов С. С. и др.
2017 год

Выбор силовых полупроводниковых приборов для параллельного соединения

Ильин М. В. и др.
2017 год

Библиотечно-издательский комплекс СФУ

Одноэлектронный транзистор из высоколегированного кремния на изоляторе
статья из журнала

Похожие документы