Стенд для оперативной проверки БТИЗ и МОП-транзисторов

Рычихин С.

База данных: Каталог библиотеки СФУ (Р 957)

Библиографическое описание: Рычихин, С. . Стенд для оперативной проверки БТИЗ и МОП-транзисторов / С. Рычихин. - (Измерения). - Текст : непосредственный // Радио. - 2024. - № 2. - С. 34-36 : 3 схемы, фот. - Примеч. в сносках.

Аннотация: Биполярный транзистор с изолированным затвором (БТИЗ-IGBT) в настоящее время широко применяется в различной радиоэлектронной аппаратуре, в первую очередь, в силовой полупроводниковой технике. БТИЗ представляет собой гибрид полевого и биполярного транзисторов. Проверка БТИЗ (IGBT) на исправность с помощью мультиметра не дает однозначного результата ввиду особенностей его строения. Поскольку отпирающее напряжение на затворе, как правило, превышает несколько вольт, для проверки на исправность БТИЗ (IGBT) был изготовлен специальный стенд. Схема представлена.

Год издания: 2024

Авторы: Рычихин С.

Источник: Радио

Выпуск: № 2

Номера страниц: 34-36

Количество экземпляров:

Читальный зал военных наук (Академгородок, 13а, 1 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров

Показать дополнительные сведения

Стенд для проверки полупроводниковых приборов

Чернов С.
2016 год

Прибор для подбора транзисторов

Мороз К.
2017 год

Сравнение средних по времени потерь мощности в биполярных транзисторах с изолированным затвором и…

Кюрегян А. С. и др.
2017 год

Стенд для проверки высоковольтных радиоэлементов

Нечаев И.
2025 год

Пробник для транзисторов

Нечаев И.
2020 год

Устройство для проверки светодиодов, светодиодных матриц и стабилитронов

Красносельский Д.
2024 год

Устройство для проверки тиристоров, симисторов, оптронов... и не только

Нечаев И.
2023 год

Вариант устройства для проверки ПДУ

Шумилов А.
2023 год

Устройство для проверки светодиодных ламп, матриц, стабилитронов

Косинский С.
2023 год

Исследование скорости радиационной деградации кремниевых и SiGe биполярных транзисторов

Фелицын Владислав Александрович и др.
2016 год

Исследование поверхностного дефектообразования в МОП-транзисторе с p-каналом при длительном…

Петухов Кирилл Алексеевич и др.
2018 год

МКУС в УМЗЧ с биполярными и полевыми транзисторами (универсальная структура)

Литаврин А.
2015 год

Аналоги тринисторов с полевыми транзисторами

Шустов М.
2016 год

Исследование модели УМЗЧ (цирклотрон на ОУ и транзисторах)

Петров А.
2018 год

Вспомним об однопереходном транзисторе

Нечаев И.
2025 год

Усовершенствованный стабилизированный источник питания на ОУ и мощном полевом транзисторе/GBT с…

Кузьминов А.
2024 год

Библиотечно-издательский комплекс СФУ

Стенд для оперативной проверки БТИЗ и МОП-транзисторов
статья из журнала 12+

Похожие публикации