1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Промышленное и гражданское строительство»
  5. Выпуск 2017 г. № 4
Расчет устойчивостистенок траншеи,возводимой методом"стена в грунте" внеоднородных пластах Марголин В. М.2017 год

Расчет устойчивости стенок траншеи, возводимой методом "стена в грунте" в неоднородных пластах
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ
Библиографическое описание: Марголин, В. М. Расчет устойчивости стенок траншеи, возводимой методом "стена в грунте" в неоднородных пластах / В. М. Марголин. - (Строительные конструкции, здания и сооружения). - Текст : непосредственный // Промышленное и гражданское строительство. - 2017. - № 4. - С. 25-29. - Библиогр.: с. 28-29 (8 назв.). - ISSN 0869-7019.
Аннотация: Рассматриваются вопросы обеспечения устойчивости вертикальных стенок траншеи в неоднородных воздушно-сухих и водонасыщенных пластах при проходке траншейной стенки методом "стена в грунте" под гидростатическим давлением глинистого раствора и с учетом внешней нагрузки на поверхности в упругопластической постановке. Нарушение устойчивости стенки, как показывает практика, сопровождается обвалами грунта в полость траншеи, что приводит к большим осложнениям при производстве работ. В данной статье устойчивость вертикальных стенок траншеи определяется в предположении, что грунт залегает горизонтальными пластами различной мощности и с различными характеристиками удельного веса, сцепления и угла внутреннего трения, которые в пределах каждого пласта остаются постоянными. Представлены результаты теоретических исследований и приведены частные случаи их применения для связных и несвязных грунтов в воздушно-сухом и водонасыщенном состояниях. Составлена программа расчета обеспечения устойчивости траншеи с учетом различных комбинаций залегания пластов и их мощности. Даны практические рекомендации по использованию результатов исследования в инженерных расчетах.
Год издания: 2017
Авторы: Марголин В. М.
Источник: Промышленное и гражданское строительство
Выпуск: № 4
Номера страниц: 25-29
Количество экземпляров:
  • Книгохранилище научной литературы (пр. Свободный, 79, 3 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров