- Главная
- Ресурсы
- Библиотечный поиск
- Журнал «Физико-технические проблемы разработки полезных ископаемых»
- Выпуск 2014 г. № 3
Активация поверхности и направленное изменение физико-химических и технологических свойств галенита при воздействии наносекундных электромагнитных импульсовстатья из журнала
База данных: Каталог библиотеки СФУ
Библиографическое описание: Активация поверхности и направленное изменение физико-химических и технологических свойств галенита при воздействии наносекундных электромагнитных импульсов / В. А. Чантурия [и др.]. - (Обогащение полезных ископаемых). - Текст : непосредственный // Физико-технические проблемы разработки полезных ископаемых. - 2014. - № 3. - С. 154-169 : ил. - Библиогр.: с. 167-169 (37 назв.). - ISSN 0015-3273.
Аннотация: Методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии (РФЭС) и инфракрасной фурье-спектроскопии (ИКФС) изучено изменение состава поверхностных слоев и химического состояния атомов на поверхности галенита в результате воздействия высоковольтных наносекундных электромагнитных импульсов (МЭМИ). По данным РФЭС структурные фазовые преобразования поверхностного слоя галенита в результате импульсной обработки в основном связаны с изменением химического состояния атомов серы, что обусловливает изменение электрохимических и флотационных свойств полупроводникового сульфидного минерала: рост электродного потенциала создает благоприятные условия для адсорбции анионного собирателя и способствует повышению флотационной активности галенита.
X-ray photoelectron spectroscopy and Fourier transform infrared spectroscopy are used to study the change of the surface layers and chemical state of atoms on galena surface after treatment by high-voltage nanosecond electromagnetic pulses. By XPS the induced structural changes of galena surface layer are associated with alteration of chemical state of sulfur atoms, which conditions the change of electrochemical and flotation properties of the semiconductor sulphide mineral: growth of electrode potential creates favorable conditions for adsorption of anion collector and promotes increased floatability of galena.
X-ray photoelectron spectroscopy and Fourier transform infrared spectroscopy are used to study the change of the surface layers and chemical state of atoms on galena surface after treatment by high-voltage nanosecond electromagnetic pulses. By XPS the induced structural changes of galena surface layer are associated with alteration of chemical state of sulfur atoms, which conditions the change of electrochemical and flotation properties of the semiconductor sulphide mineral: growth of electrode potential creates favorable conditions for adsorption of anion collector and promotes increased floatability of galena.
Год издания: 2014
Авторы: Чантурия В. А. , Бунин И. Ж. , Рязанцева М. В. , Хабарова И. А. , Копорулина Е. В. , Анашкина Н. Е.
Выпуск: № 3
Номера страниц: 154-169
Количество экземпляров:
- Читальный зал (ул. Ак. Вавилова, 47Б): свободно 1 из 1 экземпляров
Ключевые слова: активация поверхности, направленные изменения, физико-химические свойства, технологические свойства, галенит, наносекундные импульсы, электромагнитные импульсы, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, инфракрасная спектроскопия, фурье-спектроскопия, поверхностные слои, высоковольтные наносекундные импульсы, структурные фазовые преобразования, импульсная обработка, химические свойства, электрохимические свойства, флотационные свойства, сульфидные минералы, электродные потенциалы, анионные собиратели, адсорбция, флотация
Рубрики: Горное дело,
Обогащение полезных ископаемых
Обогащение полезных ископаемых
ISSN: 0015-3273
Идентификаторы: шифр phtp/2014/3-888059