1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Материаловедение»
  5. Выпуск 2017 г. № 5
Синтез и рост израсплава кристалловGaSe1–xSx (x=0-1):фазовый состав исвойства Колесников Н. Н.Борисенко Е. Б.Борисенко Д. Н.2017 год

Синтез и рост из расплава кристаллов GaSe1–xSx (x=0-1): фазовый состав и свойства
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ
Библиографическое описание: Синтез и рост из расплава кристаллов GaSe1–xSx (x=0-1): фазовый состав и свойства / Н. Н. Колесников [и др.]. - (Материалы будущего). - Текст : непосредственный // Материаловедение. - 2017. - № 5. - С. 29-33. - ISSN 1684-579X.
Аннотация: Методом вертикальной зонной плавки под давлением аргона были выращены кристаллы двойных соединений GaSe и GaS, а также твердых растворов в системе GaSe-GaS. Кристаллы этих соединений применяются в лазерной оптике благодаря высокому коэффициенту пропускания в ИК-диапазоне, но особый интерес они представляют для нелинейной оптики, где используются в качестве конверторов частоты в терагерцовом диапазоне. В этой связи растет интерес к легированию изовалентными и неизовалентными добавками как к способу повышения эффективности оптических преобразователей частот. В данной работе было показано, что кристаллы твердых растворов характеризуются параметрами решетки, линейно уменьшающимися с увеличением содержания серы. Показано, что легирование GaSe серой приводит к закономерному смещению края оптического спектра пропускания в коротковолновую область, а также к сдвигу пиков низкотемпературной фотолюминесценции в сторону более высоких энергий. Измерения микротвердости показали высокие значения, зависящие от состава кристаллов.
Год издания: 2017
Авторы: Колесников Н. Н. , Борисенко Е. Б. , Борисенко Д. Н. , Терещенко А. Н. , Тимонина А. В.
Источник: Материаловедение
Выпуск: № 5
Номера страниц: 29-33
Количество экземпляров:
  • Читальный зал (пер. Вузовский, 6Д): свободно 1 из 1 экземпляров