Библиографическое описание:Блохин, А. М. Численное решение задачи о переносе заряда в транзисторе DG-MOSFET : [Текст] / А. М. Блохин, Б. В. Семисалов. - Текст : непосредственный // Математическое моделирование. - 2014. - Т. 26, № 8. - С. 126-148. - Библиогр.: с. 147-148. - ISSN 0234-0879.
Аннотация:Предлагается и подробно описывается эффективный численный алгоритм для поиска стационарных решений задачи о переносе заряда в транзисторе DG-MOSFET. Для математического описания процесса переноса заряда используется гидродинамическая MEP модель. Вследствие нелинейности уравнений данной модели, наличия в ней малых параметров и специфических условий на границах области транзистора DG-MOSFET при поиске численных решений возникают существенные сложности. Целью настоящей работы являются построение и реализация эффективного вычислительного алгоритма, основанного на методе установления, применении сглаживающих регуляризующих операторов и идей схем без насыщения, предназначенного для преодоления указанных сложностей.
