1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии
  5. Выпуск 2014 г. Том 7. № 2
Electronic Structureof SnO2 when Dopedwith Sb and V Dobrosmislov S. S.Kirko V. I.Nagibin G. E.2014 год

Electronic Structure of SnO2 when Doped with Sb and V
статья из журнала

Полный текстЗаказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ
Библиографическое описание: Electronic Structure of SnO2 when Doped with Sb and V = Электронная структура диоксида олова при легировании Sb и V / S. S. Dobrosmislov [et al.]. - Текст : непосредственный // Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии. - 2014. - Т. 7, № 2. - С. 146-153 : рис., табл. - Библиогр.: с. 151-152. - ISSN 1999-494X.
Аннотация: Проведены теоретические и экспериментальные исследования влияния легирующих добавок V и Sb на электрофизические свойства керамического материала на основе диоксида олова. Моделирование осуществлялось с использованием программного пакета VASP в рамках формализма функционала плотности. Керамика на основе диоксида олова синтезировалась по классической технологии при температуре спекания 1300 ? С, с различной концентрацией легирующих добавок сурьмы (от 1 до 5 % ). Материал, полученный при использование ванадия, обладал низкой электропроводностью. Исследование структуры показало полное растворение сурьмы в диоксиде олова. Проведенные расчеты показали, что энергия активации составляет Egap (SbSn47O96) = 1, 19 эВ и Egap (VSn47O96) = 1, 33 эВ. Экспериментальные исследования свидетельствуют о том, что увеличение концентрации оксида сурьмы приводит к снижению ширины запрещённой зоны с 1, 33 до 0, 75 eV. Различие между рассчитанным значением энергии активации диоксида олова, легированного сурьмой, и экспериментальными исследованиями составляет 19 %.
Год издания: 2014
Авторы: Dobrosmislov S. S. , Kirko V. I. , Nagibin G. E. , Popov Z. I.
Источник: Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии
Выпуск: Т. 7, № 2
Номера страниц: 146-153
Количество экземпляров:

Всего свободно 7 из 7 экземпляров.

  • Отдел научно-библиографической работы (пр. Свободный, 79, к. Б3-10): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Отдел формирования информационно-библиотечных ресурсов (пр. Свободный, 79, к. Б2-20): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Книгохранилище научной литературы (пр. Свободный, 79, 3 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Читальный зал (пер. Вузовский, 6Д): свободно 2 из 2 экземпляров
  • Читальный зал военных наук (Академгородок, 13А, к. 1-01): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Информационно-библиографический отдел (ул. Лиды Прушинской, 2, к. 3-06): свободно 1 из 1 экземпляров