1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии
  5. Выпуск 2013 г. Том 6. № 6

Термоэлектрическая добротность в низкоразмерной полупроводниковой среде
статья из журнала

Полный текстЗаказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (П 207)
Библиографическое описание: Патрушева, Т. Н. Термоэлектрическая добротность в низкоразмерной полупроводниковой среде / Т. Н. Патрушева, С. А. Подорожняк, Г. Н. Шелованова. - Текст : непосредственный // Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии. - 2013. - Т. 6, № 6. - С. 657-664 : рис., формулы. - Библиогр.: с. 663. - ISSN 1999-494X.
Аннотация: В работе исследованы термоэлектрические характеристики полупроводниковых систем, которые могут быть использованы для создания термоэлектрических преобразователей. Экспериментально изучены и рассчитаны коэффициенты Зеебека и добротность в системах «полупроводник–пористый полупроводник». Показано, что электрохимическая обработка полупроводников вызывает изменение структуры и энергетических характеристик материалов, что приводит к многократному увеличению коэффициента Зеебека и, соответственно, добротности термоэлектрических систем.
Год издания: 2013
Авторы: Патрушева Т. Н. , Подорожняк С. А. , Шелованова Г. Н.
Источник: Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии
Выпуск: Т. 6, № 6
Номера страниц: 657-664
Количество экземпляров:

Всего свободно 6 из 6 экземпляров.

  • Информационно-библиографический отдел (пр. Свободный, 79, к. Б3-09): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Отдел формирования информационно-библиотечных ресурсов (пр. Свободный, 79, к. Б2-20): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Книгохранилище научной литературы (пр. Свободный, 79, 3 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Читальный зал (пер. Вузовский, 6Д): свободно 2 из 2 экземпляров
  • ЭЧЗ.6вн: свободно 1 из 1 экземпляров