1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии
  5. Выпуск 2009 г. Том 2. № 3

Расчет влияния условий роста на коэффициент распределения примесных атомов между расплавом и растущим кристаллом
статья из журнала

Полный текстЗаказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (Л 465)
Библиографическое описание: Ленченко, В. М. Расчет влияния условий роста на коэффициент распределения примесных атомов между расплавом и растущим кристаллом = Calculation of Influence of Growth Conditions on Distribution Coefficient of Impurity Atoms Between Melt and a Growing Crystal / В. М. Ленченко, Ю. Ю. Логинов. - Текст : непосредственный // Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии. - 2009. - Т. 2, № 3. - С. 227-237. - Библиогр.: с. 237. - ISSN 1999-494X.
Аннотация: Потоки примесных атомов (ПА) на каждом из участков 0≤x≤l системы расплав-растущий кристалл представлены в виде выражения j≈aC(0)–bC(l) , в котором a и b определены через скорости переноса ПА (конвективную – v0, дрейфовую – vd и термодиффузионную – vΘ) соответственно в расплаве – (аl, bl), в кристалле – (аs, bs), а также на границе раздела фаз – (аsl, bsl). Из условия квазистационарности процесса роста jl=jls=js найдены коэффициенты распределения концентраций ПА на каждом из участков Kl=Cl(0)/Cl, Kls=Cs(0)/Cl(0), Ks=Cs(ds)/Cs(0), и определен общий коэффициент распределения ПА между объемом расплава и охлаждаемой частью растущего слитка K=Cs/Cl. Полученное выражение для К позволяет анализировать влияние режимов роста (скорости вытягивания слитка – vс, градиента температур (через vΘ) и силовых полей (через vd)) на перенос и накопление ПА в растущем кристалле.
Год издания: 2009
Авторы: Ленченко В. М. , Логинов Ю. Ю.
Источник: Журнал Сибирского федерального университета. Техника и технологии
Выпуск: Т. 2, № 3
Номера страниц: 227-237
Количество экземпляров:

Всего свободно 3 из 3 экземпляров.

  • Информационно-библиографический отдел (пр. Свободный, 79, к. Б3-09): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Отдел формирования информационно-библиотечных ресурсов (пр. Свободный, 79, к. Б2-20): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Книгохранилище научной литературы (пр. Свободный, 79, 3 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров