1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал Сибирского федерального университета. Химия
  5. Выпуск 2011 г. Том 4. № 2

Ионный перенос и дефектная структура в двойном оксиде висмута-германия Bi[12]GeO[20-X]
статья из журнала

Полный текстЗаказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (И 755)
Библиографическое описание: Ионный перенос и дефектная структура в двойном оксиде висмута-германия Bi[12]GeO[20-X] = Ionic Transport and Defect Structure of the Bismuth-Germanium Double Oxide Bi[12]GeO[20-X] / А. Ф. Шиманский, М. Н. Васильева, А. С. Самойло, К. Н. Фомина. - Текст : непосредственный // Журнал Сибирского федерального университета. Химия. - 2011. - Т. 4, № 2. - С. 127-134. - Библиогр.: с. 133-134 (8 назв.). - ISSN 1998-2836.
Аннотация: Исследована электрическая проводимость двойного оксида висмута-германия Bi[12]GeO[20-Х] при нагревании в атмосфере воздуха и изменении состава газовой среды.
Год издания: 2011
Авторы: Шиманский А. Ф. , Васильева М. Н. , Самойло А. С. , Фомина К. Н.
Источник: Журнал Сибирского федерального университета. Химия
Выпуск: Т. 4, № 2
Номера страниц: 127-134
Количество экземпляров:

Всего свободно 2 из 2 экземпляров.

  • Информационно-библиографический отдел (пр. Свободный, 79, к. Б3-09): свободно 1 из 1 экземпляров
  • Абонемент научной литературы (пр. Свободный, 79, 3 этаж, холл): свободно 1 из 1 экземпляров