Библиографическое описание:Влияние температуры на скорость травления и качество поверхности GaAs при обработке в плазме HCI-Ar, HCI-CI[2], HCI-H[2] / А. В. Дунаев [и др.]. - (Химия). - Текст : непосредственный // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2014. - Т. 57, вып. 7. - С. 50-53 : 3 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 52-53 (8 назв.). - ISSN 0579-2991.
Аннотация:Целью работы явилось исследование влияния температуры на процесс плазмо-химического травления GaAs в представленных смесях в условиях тлеющего разряда постоянного тока, а также качества поверхности образцов полупроводника после обработки данными смесями.
