Библиографическое описание:Определение собственных тепловых сопротивлений силовых транзисторов и диодов IGBT модуля на основе его трёхмерной модели / М. В. Ильин [и др.]. - Текст : непосредственный // Электротехника. - 2019. - № 7. - С. 19-23. - ISSN 0013-5860.
Аннотация:Рассмотрен подход к определению собственных тепловых сопротивлений для формирования тепловой модели силового IGBT модуля на основе метода электротепловой аналогии. В отличие от традиционного предложенный метод учитывает изменение тепловых сопротивлений в зависимости от места расположения силового полупроводникового прибора (СПП) в IGBT модуле. Тепловые параметры для создания модели силового модуля на основе электротепловой аналогии оценивались на трёхмерной модели IGBT модуля в среде ANSYS с использованием метода конечных элементов. Предложенный подход предназначен повысить качество прогнозирования температуры кристаллов силового модуля в условиях, приближенных к эксплуатационным.
