1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Электричество»
  5. Выпуск 2016 г. № 2
Потери на ионизациюгазовых включений инеполный пробойдиэлектриков наоснове стекла Кустов Е. Ф.Серебрянников С. В.Кустов М. Е.2016 год

Потери на ионизацию газовых включений и неполный пробой диэлектриков на основе стекла
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ
Библиографическое описание: Кустов, Е. Ф. Потери на ионизацию газовых включений и неполный пробой диэлектриков на основе стекла / Кустов Е. Ф., Серебрянников С. В., Кустов М. Е. - Текст : непосредственный // Электричество. - 2016. - № 2. - С. 65-70 : 6 рис. - Библиогр.: с. 42-43 (11 назв. ). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на английском языке в конце статьи. - ISSN 0013-5380.
Аннотация: Выведена формула относительной плотности тока при ионизации газовых включений в диэлектрике, которая объясняет увеличение диэлектрических потерь, уменьшение результирующей диэлектрической проницаемости и электрической прочности. Показано, что с увеличением размеров газовых включений значение тока ионизации уменьшается, зависимость электрического поля от напряженности становится пологой кривой, насыщение наступает при меньших значениях Е. Исследуется явление неполного пробоя стекла за счет ионизации воздушных включений, выведена формула для пробивной напряженности Е пр при разрушении стекла по микротрещинам, рассчитаны значения Е пр для многих неорганических материалов, щелочно-галоидных соединений, стекол. Рассматривается явление электрического упрочнения диэлектриков в магнитном поле. Магнитное поле уменьшает ток ударной ионизации и увеличивает электрическую прочность. Влияние магнитного поля зависит от подвижности носителей заряда, поэтому электрическое упрочнение должно наблюдаться в материалах с большой подвижностью зарядов.
Год издания: 2016
Авторы: Кустов Е. Ф. , Серебрянников С. В. , Кустов М. Е.
Источник: Электричество
Выпуск: № 2
Номера страниц: 65-70
Количество экземпляров:
  • Книгохранилище научной литературы (пр. Свободный, 79, 3 этаж): свободно 1 из 1 экземпляров