1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Эксперт»
  5. Выпуск 2022 г. № 37
Полупроводники: уоблученного кремнияувеличился диаметр 2022 год

Полупроводники: у облученного кремния увеличился диаметр
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (П 533)
Библиографическое описание: Полупроводники: у облученного кремния увеличился диаметр. - (Повестка дня. Коротко). - Текст : непосредственный // Эксперт. - 2022. - № 37. - С. 4. - ISSN 1812-1896.
Аннотация: Сообщение о запуске в промышленную эксплуатацию в Томском политехническом университете комплекса для ядерного легирования кремния большого диаметра.
Год издания: 2022
Источник: Эксперт
Выпуск: № 37
Номера страниц: 4
Количество экземпляров:
  • Читальный зал Б309 (пр. Свободный, 79, к. Б3-09): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие публикации

Создаст ли Китай чипыс топологией 1 нм 2023 год

Создаст ли Китай чипы с топологией 1 нм

  • 2023 год
Нитрид галлия идет насмену кремнию Быкова Наталья2022 год

Нитрид галлия идет на смену кремнию

  • Быкова Наталья
  • 2022 год
Измерениекоэффициента Холла иэлектропроводностиполупроводниковзондовым методом Поляков Н. Н.Заворотний А. А.Филиппов В. В.2014 год

Измерение коэффициента Холла и электропроводности полупроводников зондовым методом

  • Поляков Н. Н. и др.
  • 2014 год
Изучениеповерхностныхэлектронных состоянийв полупроводникахпосредством холоднойэмиссии в сканирующихтуннельных… Мандель А. М.Лоскутов А. И.Ошурко В. Б.2013 год

Изучение поверхностных электронных состояний в полупроводниках посредством холодной эмиссии в…

  • Мандель А. М. и др.
  • 2013 год
Измерениедиэлектрическойпроницаемостидиоксида кремния принагреве ввысокотемпературномобъемном волноводном… Крылов В. П.Грачев В. А.Рогов Д. А.2016 год

Измерение диэлектрической проницаемости диоксида кремния при нагреве в высокотемпературном…

  • Крылов В. П. и др.
  • 2016 год
Ценностьуниверситетскойкультуры Шевченко Владимир Игоревич2022 год

Ценность университетской культуры

  • Шевченко Владимир Игоревич
  • 2022 год

Сильно легированные полупроводники

  • Фистуль Виктор Ильич
  • 1967 год
Причина уширениябрэгговскихдифракционных пиков,снятых от шлифованныхповерхностей пластинмонокристаллического… Павлов В. Ф.2015 год

Причина уширения брэгговских дифракционных пиков, снятых от шлифованных поверхностей пластин…

  • Павлов В. Ф.
  • 2015 год

Показать ещё

Терагерцоваяфотопроводимость инетривиальныелокальные электронныесостояния влегированныхполупроводниках на… Рябова Л. И.Хохлов Д. Р.2014 год

Терагерцовая фотопроводимость и нетривиальные локальные электронные состояния в легированных…

  • Рябова Л. И. и др.
  • 2014 год
Наука в воюющемДонбассе Лейбин Виталий2022 год

Наука в воюющем Донбассе

  • Лейбин Виталий
  • 2022 год
К новым рубежамготовы Федорук Михаил Петрович2021 год

К новым рубежам готовы

  • Федорук Михаил Петрович
  • 2021 год
Наука - производству:антипирен в гранулах 2023 год

Наука - производству: антипирен в гранулах

  • 2023 год
Вузовскимисследованиям -фундаментальнуюоценку Толмачев ДмитрийИгошина ЕкатеринаПеречнева Ирина2023 год

Вузовским исследованиям - фундаментальную оценку

  • Толмачев Дмитрий и др.
  • 2023 год
Как вузам справитьсяс кризисомколлабораций Толмачев ДмитрийКузнецов ПавелИгошина Екатерина2022 год

Как вузам справиться с кризисом коллабораций

  • Толмачев Дмитрий и др.
  • 2022 год
Основы физикиполупроводников Ю ПитерКардона Мануэль2002 год

Основы физики полупроводников

  • Ю Питер и др.
  • 2002 год
Импульсы длявузовской науки Толмачев ДмитрийКузнецов ПавелЮровских Полина2021 год

Импульсы для вузовской науки

  • Толмачев Дмитрий и др.
  • 2021 год