1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Эксперт»
  5. Выпуск 2022 г. № 17/18
Нитрид галлия идет насмену кремнию Быкова Наталья2022 год

Нитрид галлия идет на смену кремнию
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (Б 953)
Библиографическое описание: Быкова, Наталья. Нитрид галлия идет на смену кремнию / Наталья Быкова. - (Наука и технологии. Материалы). - Текст : непосредственный // Эксперт. - 2022. - № 17/18. - С. 68-71 : 1 граф., 1 табл., цв. фот. - ISSN 1812-1896.
Аннотация: Приводится краткая информация о свойствах нитрида галлия (GaN), делающих его перспективным материалом для микроэлектроники, а также изучении его потенциала в отечественных и зарубежных лабораториях. Рассказывается о сферах применения разработок, основанных на GaN-технологиях. Освещается деятельность российских научно-исследовательских институтов по созданию полупроводниковых электронных устройств на базе нитрида галлия.
Год издания: 2022
Авторы: Быкова Наталья
Источник: Эксперт
Выпуск: № 17/18
Номера страниц: 68-71
Количество экземпляров:
  • Читальный зал Б309 (пр. Свободный, 79, к. Б3-09): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие публикации

Чипам готовят сменууклада Быкова Наталья2023 год

Чипам готовят смену уклада

  • Быкова Наталья
  • 2023 год
О современномсостоянии мировогорынка галлия Наумов А. В.2014 год

О современном состоянии мирового рынка галлия

  • Наумов А. В.
  • 2014 год
Современное состояниеи перспективымирового производстваи рынка галлия Наумов А. В.2013 год

Современное состояние и перспективы мирового производства и рынка галлия

  • Наумов А. В.
  • 2013 год
Особенности процессовэпитаксиального ростананогетероструктурInAlN/InGaN дляСВЧ-транзисторовкоммуникационныхсистем Арендаренко А. А.Данилин В. Н.Макаров А. А.2016 год

Особенности процессов эпитаксиального роста наногетероструктур InAlN/InGaN для СВЧ-транзисторов…

  • Арендаренко А. А. и др.
  • 2016 год

The GaN Era has Arrived in SATCOM Power Amplifiers

  • Turner S.
  • 2015 год
Особенностиразработки процессавыращивания структурInAlN/GaN методомгазофазной эпитаксииизметаллорганических… Буробин В. А.Каргин Н. И.Коновалов А. М.2014 год

Особенности разработки процесса выращивания структур InAlN/GaN методом газофазной эпитаксии из…

  • Буробин В. А. и др.
  • 2014 год
Электроника на основенитрида галлия Куэй Рюдигер2011 год

Электроника на основе нитрида галлия

  • Куэй Рюдигер
  • 2011 год
Галлий Еремин Николай Иванович1964 год

Галлий

  • Еремин Николай Иванович
  • 1964 год

Показать ещё

Полевые транзисторы на арсениде галлия

  • Линдквист П. Ф. и др.
  • 1988 год
LIBOR: прощание сэпохой. Что идет насмену? Моисеев Сергей2021 год

LIBOR: прощание с эпохой. Что идет на смену?

  • Моисеев Сергей
  • 2021 год
Китайское эмбарго наметаллы: что станет срынкомполупроводников 2023 год

Китайское эмбарго на металлы: что станет с рынком полупроводников

  • 2023 год
Возможности ипроблемыотечественноймикроэлектроники Покровский ИванМеханик Александр2023 год

Возможности и проблемы отечественной микроэлектроники

  • Покровский Иван и др.
  • 2023 год
Современные приборына основе арсенидагаллия Шур Михаил1991 год

Современные приборы на основе арсенида галлия

  • Шур Михаил
  • 1991 год
Думал ли президент отакой диверсификации? Механик Александр2022 год

Думал ли президент о такой диверсификации?

  • Механик Александр
  • 2022 год
Рубль идет на таран Долженков АлексейОбухова Евгения2022 год

Рубль идет на таран

  • Долженков Алексей и др.
  • 2022 год
Вторая волна пандемииидет на спад 2021 год

Вторая волна пандемии идет на спад

  • 2021 год