Библиографическое описание:Быкова, Наталья. Нитрид галлия идет на смену кремнию / Наталья Быкова. - (Наука и технологии. Материалы). - Текст : непосредственный // Эксперт. - 2022. - № 17/18. - С. 68-71 : 1 граф., 1 табл., цв. фот. - ISSN 1812-1896.
Аннотация:Приводится краткая информация о свойствах нитрида галлия (GaN), делающих его перспективным материалом для микроэлектроники, а также изучении его потенциала в отечественных и зарубежных лабораториях. Рассказывается о сферах применения разработок, основанных на GaN-технологиях. Освещается деятельность российских научно-исследовательских институтов по созданию полупроводниковых электронных устройств на базе нитрида галлия.
Рубрики:Химия, Физическая химия в целом, Техника, Материаловедение, Радиоэлектроника, Полупроводниковые приборы, Экономика, Экономика машиностроительной промышленности / Россия
