1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Датчики и системы»
  5. Выпуск 2018 г. № 2
Цифровой датчикпоглощенной зоны наоснове коммерческогоМОП-транзистора Бакеренков Александр СергеевичПодлепецкий Борис ИвановичФелицын ВладиславАлександрович2018 год

Цифровой датчик поглощенной зоны на основе коммерческого МОП-транзистора
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (Ц 752)
Библиографическое описание: Цифровой датчик поглощенной зоны на основе коммерческого МОП-транзистора / Бакеренков Александр Сергеевич [и др.]. - (Национальному исследовательскому ядерному университету "МИФИ" - 75 лет). - Текст : непосредственный // Датчики и системы. - 2018. - № 2. - С. 31-36 : ил. - Библиогр.: с. 35-36 (7 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках. - ISSN 1992-7185.
Аннотация: На основе экспериментальных исследований дана оценка возможности применения коммерческих МОП-транзисторов в качестве чувствительных элементов цифровых датчиков поглощенной дозы ионизирующих излучений.
Год издания: 2018
Авторы: Бакеренков Александр Сергеевич , Подлепецкий Борис Иванович , Фелицын Владислав Александрович , Першенков Вячеслав Сергеевич , Родин Александр Сергеевич
Источник: Датчики и системы
Выпуск: № 2
Номера страниц: 31-36
Количество экземпляров:
  • Абонемент научной литературы (пр. Свободный, 79, Б1-14): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие публикации

Влияние отжига нахарактеристикибиполярныхтранзисторов какчувствительныхэлементов датчиковпоглощенной дозы Бакеренков Александр СергеевичРодин Александр СергеевичПершенков Вячеслав Сергеевич2018 год

Влияние отжига на характеристики биполярных транзисторов как чувствительных элементов датчиков…

  • Бакеренков Александр Сергеевич и др.
  • 2018 год
Модель ионизирующегоизлучения итемпературы нахарактеристикиМОП-транзистора Орешков Павел НиколаевичПопов Виктор Дмитриевич2015 год

Модель ионизирующего излучения и температуры на характеристики МОП-транзистора

  • Орешков Павел Николаевич и др.
  • 2015 год
МДП-транзистор какпервичныйпреобразователь дозыионизирующегоизлучения Подлепецкий Борис ИвановичБакеренков Александр СергеевичФелицын ВладиславАлександрович2018 год

МДП-транзистор как первичный преобразователь дозы ионизирующего излучения

  • Подлепецкий Борис Иванович и др.
  • 2018 год
Исследованиеповерхностногодефектообразования вМОП-транзисторе сp-каналом придлительномвоздействиигамма-излучения Петухов Кирилл АлексеевичПопов Виктор Дмитриевич2018 год

Исследование поверхностного дефектообразования в МОП-транзисторе с p-каналом при длительном…

  • Петухов Кирилл Алексеевич и др.
  • 2018 год
Моделирование влиянияионизирующей радиациина погрешностьинтегрального датчикатемпературы приразличных режимах Никифорова Марина Юрьевна2015 год

Моделирование влияния ионизирующей радиации на погрешность интегрального датчика температуры при…

  • Никифорова Марина Юрьевна
  • 2015 год
Моделированиечувствительногоэлемента датчикадавления на основебиполярноготензотранзистора Басов Михаил ВикторовичПригодский Денис МихайловичХолодков Денис Анатольевич2017 год

Моделирование чувствительного элемента датчика давления на основе биполярного тензотранзистора

  • Басов Михаил Викторович и др.
  • 2017 год
МетодикамоделированиярадиационнойчувствительностиМДП-транзисторныхэлементов датчиков Подлепецкий Борис ИвановичБакеренков Александр СергеевичСухорослова Юлия Валерьевна2016 год

Методика моделирования радиационной чувствительности МДП-транзисторных элементов датчиков

  • Подлепецкий Борис Иванович и др.
  • 2016 год
Датчик магнитногополя на основедифракции света вферромагнитныхпленках Берикашвили Валерий ШалвовичКоровкин АлександрВладимирович2016 год

Датчик магнитного поля на основе дифракции света в ферромагнитных пленках

  • Берикашвили Валерий Шалвович и др.
  • 2016 год

Показать ещё

Моделированиерадиационнойчувствительностидатчиков водорода сМДП-транзисторнымиэлементами Подлепецкий Борис Иванович2015 год

Моделирование радиационной чувствительности датчиков водорода с МДП-транзисторными элементами

  • Подлепецкий Борис Иванович
  • 2015 год
Двухкомпонентныйдатчик слабыхмагнитных полей напленочномЖИГ-резонаторе Хвалин Александр Львович2015 год

Двухкомпонентный датчик слабых магнитных полей на пленочном ЖИГ-резонаторе

  • Хвалин Александр Львович
  • 2015 год
Экономичнаятехнологияформированияметаллических слоевна керамическихпленках длягазочувствительныхдатчиков Самотаев Николай НиколаевичОблов Константин ЮрьевичИванова Анастасия Владимировна2016 год

Экономичная технология формирования металлических слоев на керамических пленках для…

  • Самотаев Николай Николаевич и др.
  • 2016 год
Критерии выбораматериалов длядатчиков наповерхностныхакустических волнах Балышева Ольга Леонидовна2015 год

Критерии выбора материалов для датчиков на поверхностных акустических волнах

  • Балышева Ольга Леонидовна
  • 2015 год
Оптоэлектронныйдатчик водорода наоснове структурыPd/n-InP Именков Альберт НиколаевичГребенщикова ЕленаАлександровнаШутаев Вадим Аркадьевич2017 год

Оптоэлектронный датчик водорода на основе структуры Pd/n-InP

  • Именков Альберт Николаевич и др.
  • 2017 год
Инерциальныеизмерительные блокина основе датчиковугловой скорости назеемановских лазерныхгироскопах идатчиков… Голяев Юрий ДмитриевичИванов Максим АлексеевичКолбас Юрий Юрьевич2018 год

Инерциальные измерительные блоки на основе датчиков угловой скорости на зеемановских лазерных…

  • Голяев Юрий Дмитриевич и др.
  • 2018 год
Организация входногоконтролячувствительныхэлементовмикромеханическихдатчиков на пластине Якимова Анна ВасильевнаБелогуров АлексейАлександровичБеляев Яков Валерьевич2017 год

Организация входного контроля чувствительных элементов микромеханических датчиков на пластине

  • Якимова Анна Васильевна и др.
  • 2017 год
Цифровоймикроволновый датчикавтомобильнойсигнализации Васюков Сергей АлександровичОстапенко Дмитрий Геннадьевич2014 год

Цифровой микроволновый датчик автомобильной сигнализации

  • Васюков Сергей Александрович и др.
  • 2014 год