Библиографическое описание:Краснюк, Андрей Анатольевич. Моделирование многозатворных транзисторных структур как элементов электронных датчиков / Краснюк Андрей Анатольевич, Марьина Елена Владимировна, Имаметдинов Эмиль Фэридович. - (Национальному исследовательскому ядерному университету "МИФИ" - 75 лет). - Текст : непосредственный // Датчики и системы. - 2018. - № 2. - С. 56-59 : ил. - Библиогр.: с. 59 (11 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках. - ISSN 1992-7185.
Аннотация:Разработана и исследована референсная модель для анализа SGMOS (split gate MOS) транзисторов. Показано, что применение расщепленного затвора вполне эффективно в модуляционно-легированных структурах класса PDCFET. Снижение крутизны, быстродействия и изменение ВАХ транзисторных структур не носит катастрофического характера вплоть до температур 200... 250 градусов Цельсия.
