1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Датчики и системы»
  5. Выпуск 2018 г. № 2
Влияние отжига нахарактеристикибиполярныхтранзисторов какчувствительныхэлементов датчиковпоглощенной дозы Бакеренков Александр СергеевичРодин Александр СергеевичПершенков Вячеслав Сергеевич2018 год

Влияние отжига на характеристики биполярных транзисторов как чувствительных элементов датчиков поглощенной дозы
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (В 586)
Библиографическое описание: Влияние отжига на характеристики биполярных транзисторов как чувствительных элементов датчиков поглощенной дозы / Бакеренков Александр Сергеевич [и др.]. - (Национальному исследовательскому ядерному университету "МИФИ" - 75 лет). - Текст : непосредственный // Датчики и системы. - 2018. - № 2. - С. 43-47 : ил. - Библиогр.: с. 46-47 (8 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках. - ISSN 1992-7185.
Аннотация: Приведены оценки влияния отжига на темп радиационной деградации электрических параметров биполярных транзисторов, которые могут использоваться в качестве чувствительных элементов датчиков поглощенной дозы.
Год издания: 2018
Авторы: Бакеренков Александр Сергеевич , Родин Александр Сергеевич , Першенков Вячеслав Сергеевич , Фелицын Владислав Александрович
Источник: Датчики и системы
Выпуск: № 2
Номера страниц: 43-47
Количество экземпляров:
  • Абонемент научной литературы (пр. Свободный, 79, Б1-14): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие публикации

Цифровой датчикпоглощенной зоны наоснове коммерческогоМОП-транзистора Бакеренков Александр СергеевичПодлепецкий Борис ИвановичФелицын ВладиславАлександрович2018 год

Цифровой датчик поглощенной зоны на основе коммерческого МОП-транзистора

  • Бакеренков Александр Сергеевич и др.
  • 2018 год
Моделированиечувствительногоэлемента датчикадавления на основебиполярноготензотранзистора Басов Михаил ВикторовичПригодский Денис МихайловичХолодков Денис Анатольевич2017 год

Моделирование чувствительного элемента датчика давления на основе биполярного тензотранзистора

  • Басов Михаил Викторович и др.
  • 2017 год
МетодикамоделированиярадиационнойчувствительностиМДП-транзисторныхэлементов датчиков Подлепецкий Борис ИвановичБакеренков Александр СергеевичСухорослова Юлия Валерьевна2016 год

Методика моделирования радиационной чувствительности МДП-транзисторных элементов датчиков

  • Подлепецкий Борис Иванович и др.
  • 2016 год
МДП-транзистор какпервичныйпреобразователь дозыионизирующегоизлучения Подлепецкий Борис ИвановичБакеренков Александр СергеевичФелицын ВладиславАлександрович2018 год

МДП-транзистор как первичный преобразователь дозы ионизирующего излучения

  • Подлепецкий Борис Иванович и др.
  • 2018 год
Моделированиерадиационнойчувствительностидатчиков водорода сМДП-транзисторнымиэлементами Подлепецкий Борис Иванович2015 год

Моделирование радиационной чувствительности датчиков водорода с МДП-транзисторными элементами

  • Подлепецкий Борис Иванович
  • 2015 год
Организация входногоконтролячувствительныхэлементовмикромеханическихдатчиков на пластине Якимова Анна ВасильевнаБелогуров АлексейАлександровичБеляев Яков Валерьевич2017 год

Организация входного контроля чувствительных элементов микромеханических датчиков на пластине

  • Якимова Анна Васильевна и др.
  • 2017 год
Исследование скоростирадиационнойдеградации кремниевыхи SiGe биполярныхтранзисторов Фелицын ВладиславАлександровичБакеренков Александр СергеевичРодин Александр Сергеевич2016 год

Исследование скорости радиационной деградации кремниевых и SiGe биполярных транзисторов

  • Фелицын Владислав Александрович и др.
  • 2016 год
Моделированиехарактеристикинтегральных датчиковводорода сМДП-транзисторнымичувствительнымиэлементами Подлепецкий Борис Иванович2014 год

Моделирование характеристик интегральных датчиков водорода с МДП-транзисторными чувствительными…

  • Подлепецкий Борис Иванович
  • 2014 год

Показать ещё

Влияние температурыМДП-транзисторныхчувствительныхэлементов нахарактеристикидатчиков водорода Подлепецкий Борис ИвановичНикифорова Марина Юрьевна2015 год

Влияние температуры МДП-транзисторных чувствительных элементов на характеристики датчиков водорода

  • Подлепецкий Борис Иванович и др.
  • 2015 год
Теплоизолирующиесвойствадиэлектрическихмембранныхконструкцийчувствительныхэлементов датчиковконцентрации газов Веселов Денис СергеевичВоронов Юрий Александрович2016 год

Теплоизолирующие свойства диэлектрических мембранных конструкций чувствительных элементов…

  • Веселов Денис Сергеевич и др.
  • 2016 год
Волоконно-оптическийдатчик магнитногополя и электрическоготока с миниатюрнымчувствительнымэлементом на основеBi… Потапов Тимофей ВладимировичЖамалетдинов Надир МунировичДемин Андрей Николаевич2017 год

Волоконно-оптический датчик магнитного поля и электрического тока с миниатюрным чувствительным…

  • Потапов Тимофей Владимирович и др.
  • 2017 год
Чувствительныеэлементы на основерезонатора на ПАВ длядатчиков температурыс термометрическойлупой Крышталь Раиса ГригорьевнаМедведь Александр ВладимировичПроказин Федор Евгеньевич2014 год

Чувствительные элементы на основе резонатора на ПАВ для датчиков температуры с термометрической…

  • Крышталь Раиса Григорьевна и др.
  • 2014 год
ИзготовлениеМЭМС-структурчувствительныхэлементов датчиковконцентрации газа сприменениеморганических щелочей Веселов Денис СергеевичВоронов Юрий АлександровичВанюхин Кирилл Дмитриевич2015 год

Изготовление МЭМС-структур чувствительных элементов датчиков концентрации газа с применением…

  • Веселов Денис Сергеевич и др.
  • 2015 год
Влияние параметровчувствительногоэлементамагнитожидкостногодатчика угла наклонана силу подвеса Морозова Дарья ЮрьевнаСайкин Михаил Сергеевич2015 год

Влияние параметров чувствительного элемента магнитожидкостного датчика угла наклона на силу подвеса

  • Морозова Дарья Юрьевна и др.
  • 2015 год
Топологическиевероятностные моделиБИС для обеспеченияинформационнойнадежностиэлектронных системпри воздействии… Барбашов Вячеслав МихайловичТрушкин Николай Сергеевич2018 год

Топологические вероятностные модели БИС для обеспечения информационной надежности электронных…

  • Барбашов Вячеслав Михайлович и др.
  • 2018 год
Исследованиеповерхностногодефектообразования вМОП-транзисторе сp-каналом придлительномвоздействиигамма-излучения Петухов Кирилл АлексеевичПопов Виктор Дмитриевич2018 год

Исследование поверхностного дефектообразования в МОП-транзисторе с p-каналом при длительном…

  • Петухов Кирилл Алексеевич и др.
  • 2018 год