Библиографическое описание:Влияние отжига на характеристики биполярных транзисторов как чувствительных элементов датчиков поглощенной дозы / Бакеренков Александр Сергеевич [и др.]. - (Национальному исследовательскому ядерному университету "МИФИ" - 75 лет). - Текст : непосредственный // Датчики и системы. - 2018. - № 2. - С. 43-47 : ил. - Библиогр.: с. 46-47 (8 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках. - ISSN 1992-7185.
Аннотация:Приведены оценки влияния отжига на темп радиационной деградации электрических параметров биполярных транзисторов, которые могут использоваться в качестве чувствительных элементов датчиков поглощенной дозы.