1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Датчики и системы»
  5. Выпуск 2018 г. № 2
Исследованиеповерхностногодефектообразования вМОП-транзисторе сp-каналом придлительномвоздействиигамма-излучения Петухов Кирилл АлексеевичПопов Виктор Дмитриевич2018 год

Исследование поверхностного дефектообразования в МОП-транзисторе с p-каналом при длительном воздействии гамма-излучения
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ (П 314)
Библиографическое описание: Петухов, Кирилл Алексеевич. Исследование поверхностного дефектообразования в МОП-транзисторе с p-каналом при длительном воздействии гамма-излучения / Петухов Кирилл Алексеевич, Попов Виктор Дмитриевич. - (Национальному исследовательскому ядерному университету "МИФИ" - 75 лет). - Текст : непосредственный // Датчики и системы. - 2018. - № 2. - С. 53-56 : ил. - Библиогр.: с. 55-56 (8 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках. - ISSN 1992-7185.
Аннотация: Представлены результаты исследования процесса поверхностного дефектообразования в МОП транзисторах с p-каналом при воздействии гамма-излучения с низкой интенсивностью. Облучение транзисторов проводилось как в пассивном, так и в активном режиме. Предложена качественная модель эффекта образования поверхностных состояний.
Год издания: 2018
Авторы: Петухов Кирилл Алексеевич , Попов Виктор Дмитриевич
Источник: Датчики и системы
Выпуск: № 2
Номера страниц: 53-56
Количество экземпляров:
  • Абонемент научной литературы (пр. Свободный, 79, Б1-14): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие публикации

Модель ионизирующегоизлучения итемпературы нахарактеристикиМОП-транзистора Орешков Павел НиколаевичПопов Виктор Дмитриевич2015 год

Модель ионизирующего излучения и температуры на характеристики МОП-транзистора

  • Орешков Павел Николаевич и др.
  • 2015 год
Цифровой датчикпоглощенной зоны наоснове коммерческогоМОП-транзистора Бакеренков Александр СергеевичПодлепецкий Борис ИвановичФелицын ВладиславАлександрович2018 год

Цифровой датчик поглощенной зоны на основе коммерческого МОП-транзистора

  • Бакеренков Александр Сергеевич и др.
  • 2018 год
Влияние отжига нахарактеристикибиполярныхтранзисторов какчувствительныхэлементов датчиковпоглощенной дозы Бакеренков Александр СергеевичРодин Александр СергеевичПершенков Вячеслав Сергеевич2018 год

Влияние отжига на характеристики биполярных транзисторов как чувствительных элементов датчиков…

  • Бакеренков Александр Сергеевич и др.
  • 2018 год
МДП-транзистор какпервичныйпреобразователь дозыионизирующегоизлучения Подлепецкий Борис ИвановичБакеренков Александр СергеевичФелицын ВладиславАлександрович2018 год

МДП-транзистор как первичный преобразователь дозы ионизирующего излучения

  • Подлепецкий Борис Иванович и др.
  • 2018 год
Моделированиемногозатворныхтранзисторныхструктур какэлементов электронныхдатчиков Краснюк Андрей АнатольевичМарьина Елена ВладимировнаИмаметдинов Эмиль Фэридович2018 год

Моделирование многозатворных транзисторных структур как элементов электронных датчиков

  • Краснюк Андрей Анатольевич и др.
  • 2018 год
Механизмы деградацииполупроводниковыхсистем под действиемэлектромагнитногоимпульса Шуренков Владимир Васильевич2018 год

Механизмы деградации полупроводниковых систем под действием электромагнитного импульса

  • Шуренков Владимир Васильевич
  • 2018 год
Влияние температурына выживаемостькапрового жука послеоблучения Лой Надежда НиколаевнаСанжарова Наталья Ивановна2024 год

Влияние температуры на выживаемость капрового жука после облучения

  • Лой Надежда Николаевна и др.
  • 2024 год
Экспрессия геновVEGF, GFAP и BDNF вголовном мозге крыспосле разныхвариантовфракционированногогамма–облучения Зоркина Я. А.Юсубалиева Г. М.Кошкин Ф. А.2014 год

Экспрессия генов VEGF, GFAP и BDNF в головном мозге крыс после разных вариантов…

  • Зоркина Я. А. и др.
  • 2014 год

Показать ещё

МетодикамоделированиярадиационнойчувствительностиМДП-транзисторныхэлементов датчиков Подлепецкий Борис ИвановичБакеренков Александр СергеевичСухорослова Юлия Валерьевна2016 год

Методика моделирования радиационной чувствительности МДП-транзисторных элементов датчиков

  • Подлепецкий Борис Иванович и др.
  • 2016 год
Исследование скоростирадиационнойдеградации кремниевыхи SiGe биполярныхтранзисторов Фелицын ВладиславАлександровичБакеренков Александр СергеевичРодин Александр Сергеевич2016 год

Исследование скорости радиационной деградации кремниевых и SiGe биполярных транзисторов

  • Фелицын Владислав Александрович и др.
  • 2016 год
ДействиеСВЧ-излучения нахарактеристикиполупроводниковыхдиодов Шуренков Владимир Васильевич2016 год

Действие СВЧ-излучения на характеристики полупроводниковых диодов

  • Шуренков Владимир Васильевич
  • 2016 год
Прогнозированиеработоспособностикомпараторовнапряжения набиполярныхтранзисторах вусловияхкосмического… Першенков Вячеслав СергеевичБакеренков Александр СергеевичСоломатин Анатолий Владленович2015 год

Прогнозирование работоспособности компараторов напряжения на биполярных транзисторах в условиях…

  • Першенков Вячеслав Сергеевич и др.
  • 2015 год
Оценка интенсивностисбоев в электронныхсистемах космическогобазирования Земцов Кирилл СергеевичЗебрев Геннадий ИвановичГорчичко Мария Евгеньевна2016 год

Оценка интенсивности сбоев в электронных системах космического базирования

  • Земцов Кирилл Сергеевич и др.
  • 2016 год
Новости 2014 год

Новости

  • 2014 год