Библиографическое описание:Петухов, Кирилл Алексеевич. Исследование поверхностного дефектообразования в МОП-транзисторе с p-каналом при длительном воздействии гамма-излучения / Петухов Кирилл Алексеевич, Попов Виктор Дмитриевич. - (Национальному исследовательскому ядерному университету "МИФИ" - 75 лет). - Текст : непосредственный // Датчики и системы. - 2018. - № 2. - С. 53-56 : ил. - Библиогр.: с. 55-56 (8 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках. - ISSN 1992-7185.
Аннотация:Представлены результаты исследования процесса поверхностного дефектообразования в МОП транзисторах с p-каналом при воздействии гамма-излучения с низкой интенсивностью. Облучение транзисторов проводилось как в пассивном, так и в активном режиме. Предложена качественная модель эффекта образования поверхностных состояний.
