1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Датчики и системы»
  5. Выпуск 2016 г. № 4
Моделированиерадиационнойчувствительностибиполярных ИМС сучетом изменчивостиусловий космическогоокружения Елушов Илья ВладимировичЗебрев Геннадий ИвановичЛебедев Анатолий Алексеевич2016 год

Моделирование радиационной чувствительности биполярных ИМС с учетом изменчивости условий космического окружения
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ
Библиографическое описание: Елушов, Илья Владимирович. Моделирование радиационной чувствительности биполярных ИМС с учетом изменчивости условий космического окружения / Елушов Илья Владимирович, Зебрев Геннадий Иванович, Лебедев Анатолий Алексеевич. - (Представляет кафедра микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ). - Текст : непосредственный // Датчики и системы. - 2016. - № 4. - С. 58-60 : ил. - Библиогр.: с. 60 (10 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках. - ISSN 1992-7185.
Аннотация: Рассмотрен метод прогнозирования радиационного поведения параметров биполярных интегральных схем как функционал от их радиационной, электрической и тепловой предыстории на борту космических аппаратов в условиях изменчивого радиационного окружения на орбите.
Год издания: 2016
Авторы: Елушов Илья Владимирович , Зебрев Геннадий Иванович , Лебедев Анатолий Алексеевич
Источник: Датчики и системы
Выпуск: № 4
Номера страниц: 58-60
Количество экземпляров:
  • Абонемент научной литературы (пр. Свободный, 79, Б1-14): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие документы

МетодикамоделированиярадиационнойчувствительностиМДП-транзисторныхэлементов датчиков Подлепецкий Борис ИвановичБакеренков Александр СергеевичСухорослова Юлия Валерьевна2016 год

Методика моделирования радиационной чувствительности МДП-транзисторных элементов датчиков

  • Подлепецкий Борис Иванович и др.
  • 2016 год
Влияние флуктуацийионизационных потерьна вероятность сбоя вэлементах памяти Зебрев Геннадий ИвановичЕлушов Илья Владимирович2015 год

Влияние флуктуаций ионизационных потерь на вероятность сбоя в элементах памяти

  • Зебрев Геннадий Иванович и др.
  • 2015 год
Влияние отжига нахарактеристикибиполярныхтранзисторов какчувствительныхэлементов датчиковпоглощенной дозы Бакеренков Александр СергеевичРодин Александр СергеевичПершенков Вячеслав Сергеевич2018 год

Влияние отжига на характеристики биполярных транзисторов как чувствительных элементов датчиков…

  • Бакеренков Александр Сергеевич и др.
  • 2018 год
Топологическиевероятностные моделиБИС для обеспеченияинформационнойнадежностиэлектронных системпри воздействии… Барбашов Вячеслав МихайловичТрушкин Николай Сергеевич2018 год

Топологические вероятностные модели БИС для обеспечения информационной надежности электронных…

  • Барбашов Вячеслав Михайлович и др.
  • 2018 год
Моделированиерадиационнойнадежности цифровыхустройств нафункционально-логическом уровне Барбашов Вячеслав МихайловичПодлепецкий Борис ИвановичТрушкин Николай Сергеевич2016 год

Моделирование радиационной надежности цифровых устройств на функционально-логическом уровне

  • Барбашов Вячеслав Михайлович и др.
  • 2016 год
Схемотехническиеметоды повышениярадиационнойстойкости отражателейтока операционныхусилителей Родин Александр СергеевичБакеренков Александр СергеевичФелицын ВладиславАлександрович2016 год

Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости отражателей тока операционных усилителей

  • Родин Александр Сергеевич и др.
  • 2016 год
Моделированиерадиационнойчувствительностидатчиков водорода сМДП-транзисторнымиэлементами Подлепецкий Борис Иванович2015 год

Моделирование радиационной чувствительности датчиков водорода с МДП-транзисторными элементами

  • Подлепецкий Борис Иванович
  • 2015 год
Прогнозированиеработоспособностикомпараторовнапряжения набиполярныхтранзисторах вусловияхкосмического… Першенков Вячеслав СергеевичБакеренков Александр СергеевичСоломатин Анатолий Владленович2015 год

Прогнозирование работоспособности компараторов напряжения на биполярных транзисторах в условиях…

  • Першенков Вячеслав Сергеевич и др.
  • 2015 год
Микросхемы "умной"ассоциативной памяти:тенденции развития,классификация иприменение Лапшинский Валерий Алексеевич2018 год

Микросхемы "умной" ассоциативной памяти: тенденции развития, классификация и применение

  • Лапшинский Валерий Алексеевич
  • 2018 год
На пути к "умной" и"разумной" памяти:базовые кристаллы ипроцессорно-ориентированная организация"умной" памяти Лапшинский Валерий Алексеевич2015 год

На пути к "умной" и "разумной" памяти: базовые кристаллы и процессорно-ориентированная…

  • Лапшинский Валерий Алексеевич
  • 2015 год
Прогнозированиеинтенсивности отказовКМДП СБИС порезультатамконтрольных испытаний Петрухин Борис Петрович2017 год

Прогнозирование интенсивности отказов КМДП СБИС по результатам контрольных испытаний

  • Петрухин Борис Петрович
  • 2017 год
КМДП цифровые(логические) СБИС,подходы к оценкедолговечности Петрухин Борис Петрович2018 год

КМДП цифровые (логические) СБИС, подходы к оценке долговечности

  • Петрухин Борис Петрович
  • 2018 год