1. Главная
  2. Ресурсы
  3. Библиотечный поиск
  4. Журнал «Датчики и системы»
  5. Выпуск 2016 г. № 4
Исследование скоростирадиационнойдеградации кремниевыхи SiGe биполярныхтранзисторов Фелицын ВладиславАлександровичБакеренков Александр СергеевичРодин Александр Сергеевич2016 год

Исследование скорости радиационной деградации кремниевых и SiGe биполярных транзисторов
статья из журнала

Заказать копию статьи
База данных: Каталог библиотеки СФУ
Библиографическое описание: Исследование скорости радиационной деградации кремниевых и SiGe биполярных транзисторов / Фелицын Владислав Александрович [и др.]. - (Представляет кафедра микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ). - Текст : непосредственный // Датчики и системы. - 2016. - № 4. - С. 70-72 : ил. - Библиогр.: с. 72 (7 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках. - ISSN 1992-7185.
Аннотация: Проведено сравнение скорости радиационной деградации стандартных кремниевых и гетероструктурных биполярных SiGe-транзисторов. Повышенная радиационная стойкость SiGe-приборов связана с наличием тонкого захороненного окисла над обедненной областью эмиттерного перехода.
Год издания: 2016
Авторы: Фелицын Владислав Александрович , Бакеренков Александр Сергеевич , Родин Александр Сергеевич , Першенков Вячеслав Сергеевич , Мирошниченко Алина Георгиевна
Источник: Датчики и системы
Выпуск: № 4
Номера страниц: 70-72
Количество экземпляров:
  • Абонемент научной литературы (пр. Свободный, 79, Б1-14): свободно 1 из 1 экземпляров

Похожие публикации

Влияние отжига нахарактеристикибиполярныхтранзисторов какчувствительныхэлементов датчиковпоглощенной дозы Бакеренков Александр СергеевичРодин Александр СергеевичПершенков Вячеслав Сергеевич2018 год

Влияние отжига на характеристики биполярных транзисторов как чувствительных элементов датчиков…

  • Бакеренков Александр Сергеевич и др.
  • 2018 год
Прогнозированиеработоспособностикомпараторовнапряжения набиполярныхтранзисторах вусловияхкосмического… Першенков Вячеслав СергеевичБакеренков Александр СергеевичСоломатин Анатолий Владленович2015 год

Прогнозирование работоспособности компараторов напряжения на биполярных транзисторах в условиях…

  • Першенков Вячеслав Сергеевич и др.
  • 2015 год
Моделированиехарактеристикбиполярноготранзистора 2Т937 Апин М. П.Балаболин А. Г.Хвалин А. Л.2017 год

Моделирование характеристик биполярного транзистора 2Т937

  • Апин М. П. и др.
  • 2017 год
Моделированиехарактеристикбиполярноготранзистора 2Т937 Апин М. П.Балаболин А. Г.Хвалин А. Л.2017 год

Моделирование характеристик биполярного транзистора 2Т937

  • Апин М. П. и др.
  • 2017 год
Псевдосенсорныйвыключатель набиполярныхтранзисторах Дерр Д.2015 год

Псевдосенсорный выключатель на биполярных транзисторах

  • Дерр Д.
  • 2015 год
Аналитическоепредставлениехарактеристикбиполярныхтранзисторов Китаев А. Е.2017 год

Аналитическое представление характеристик биполярных транзисторов

  • Китаев А. Е.
  • 2017 год
Сравнительный анализстатическиххарактеристикбиполярныхтранзисторов сизолированнымзатвором и тиристоровс… Бономорский О. И.Кюрегян А. С.Горбатюк А. В.2015 год

Сравнительный анализ статических характеристик биполярных транзисторов с изолированным затвором и…

  • Бономорский О. И. и др.
  • 2015 год
Моделированиерадиационнойчувствительностибиполярных ИМС сучетом изменчивостиусловий космическогоокружения Елушов Илья ВладимировичЗебрев Геннадий ИвановичЛебедев Анатолий Алексеевич2016 год

Моделирование радиационной чувствительности биполярных ИМС с учетом изменчивости условий…

  • Елушов Илья Владимирович и др.
  • 2016 год

Показать ещё

Стенд для оперативнойпроверки БТИЗ иМОП-транзисторов Рычихин С.2024 год

Стенд для оперативной проверки БТИЗ и МОП-транзисторов

  • Рычихин С.
  • 2024 год
МКУС в УМЗЧ сбиполярными иполевымитранзисторами(универсальнаяструктура) Литаврин А.2015 год

МКУС в УМЗЧ с биполярными и полевыми транзисторами (универсальная структура)

  • Литаврин А.
  • 2015 год
Исследованиеповерхностногодефектообразования вМОП-транзисторе сp-каналом придлительномвоздействиигамма-излучения Петухов Кирилл АлексеевичПопов Виктор Дмитриевич2018 год

Исследование поверхностного дефектообразования в МОП-транзисторе с p-каналом при длительном…

  • Петухов Кирилл Алексеевич и др.
  • 2018 год
Сравнение средних повремени потерьмощности в биполярныхтранзисторах сизолированнымзатвором икомбинированных СИТ… Кюрегян А. С.Горбатюк А. В.Иванов Б. В.2017 год

Сравнение средних по времени потерь мощности в биполярных транзисторах с изолированным затвором и…

  • Кюрегян А. С. и др.
  • 2017 год
Оптимизацияхарактеристикусилителя мощности наотечественныхбиполярныхтранзисторах вдиапазоне от 1 до 2ГГц Апин М. П.Кудряшов Г. В.Хвалин А. Л.2018 год

Оптимизация характеристик усилителя мощности на отечественных биполярных транзисторах в диапазоне…

  • Апин М. П. и др.
  • 2018 год
Микромощноеустройство считыванияи преобразованиясигналов кремниевыхфотоэлектронныхумножителей Бочаров Юрий ИвановичБутузов Владимир АлексеевичГурковский Борис Вячеславович2015 год

Микромощное устройство считывания и преобразования сигналов кремниевых фотоэлектронных умножителей

  • Бочаров Юрий Иванович и др.
  • 2015 год
Схемотехническиеметоды повышениярадиационнойстойкости отражателейтока операционныхусилителей Родин Александр СергеевичБакеренков Александр СергеевичФелицын ВладиславАлександрович2016 год

Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости отражателей тока операционных усилителей

  • Родин Александр Сергеевич и др.
  • 2016 год
Анализ и синтезметодов измеренияS-параметровсверхвысокочастотныхтранзисторов Савелькаев С. В.Литовченко В. А.2018 год

Анализ и синтез методов измерения S-параметров сверхвысокочастотных транзисторов

  • Савелькаев С. В. и др.
  • 2018 год