Библиографическое описание:Исследование скорости радиационной деградации кремниевых и SiGe биполярных транзисторов / Фелицын Владислав Александрович [и др.]. - (Представляет кафедра микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ). - Текст : непосредственный // Датчики и системы. - 2016. - № 4. - С. 70-72 : ил. - Библиогр.: с. 72 (7 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках. - ISSN 1992-7185.
Аннотация:Проведено сравнение скорости радиационной деградации стандартных кремниевых и гетероструктурных биполярных SiGe-транзисторов. Повышенная радиационная стойкость SiGe-приборов связана с наличием тонкого захороненного окисла над обедненной областью эмиттерного перехода.
