Библиографическое описание:Орешков, Павел Николаевич. Прогнозирование вероятности отказа flash-памяти при низкоинтенсивном облучении / Орешков Павел Николаевич, Попов Виктор Дмитриевич. - (Представляет кафедра микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ). - Текст : непосредственный // Датчики и системы. - 2016. - № 4. - С. 61-63 : ил. - Библиогр.: с. 63 (6 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках. - ISSN 1992-7185.
Аннотация:Приведен результат определения вероятности радиационно-стимулированного отказа flash-памяти микроконтроллера в условиях орбиты МКС. Выбрана модель, описывающая совместное воздействие ионизирующего излучения, электрического режима и температуры.
