Датчики и системы : научно-технический и производственный журнал. 2016 г. № 4выпуск журнала/газеты
Статьи выпуска
- [Вступительная статья]. — С. 3
- Комплект интегральных микросхем для сбора данных с матриц кремниевых фотоэлектронных умножителей. — С. 4-9Бочаров Юрий Иванович, Бутузов Владимир Алексеевич, Симаков Андрей Борисович
- Аппаратно-программный комплекс для исследования индивидуального влияния СВЧ-излучения на кардиоритмику человека. — С. 9-15Симаков Андрей Борисович [и др.]
- Интегральный многофазный преобразователь постоянного напряжения на переключаемых конденсаторах. — С. 15-20Шунков Валерий Евгеньевич [и др.]
- Высокопроизводительные криптоблоки для использования в составе "систем на кристалле". — С. 21-25Шагурин Игорь Иванович, Жихарев Григорий Юрьевич
- Особенности применения жидкостного травления кремния в технологии изготовления МЭМС-структур. — С. 26-28Веселов Денис Сергеевич, Воронов Юрий Александрович
- Теплоизолирующие свойства диэлектрических мембранных конструкций чувствительных элементов датчиков концентрации газов. — С. 29-32Веселов Денис Сергеевич, Воронов Юрий Александрович
- Микромощные нагреватели для термокондуктометрических датчиков. — С. 33-35Самотаев Николай Николаевич
- Экономичная технология формирования металлических слоев на керамических пленках для газочувствительных датчиков. — С. 36-40Самотаев Николай Николаевич [и др.]
- Использование охранного воздушного потока в спектрометре ионной подвижности для повышения качества измерений. — С. 40-44Шалтаева Юлия Ринатовна [и др.]
- Сорбционные свойства материалов входного канала спектрометра ионной подвижности. — С. 45-50Липатов Дмитрий Юрьевич [и др.]
- Действие СВЧ-излучения на характеристики полупроводниковых диодов. — С. 50-53Шуренков Владимир Васильевич
- Моделирование радиационной надежности цифровых устройств на функционально-логическом уровне. — С. 54-57Барбашов Вячеслав Михайлович, Подлепецкий Борис Иванович, Трушкин Николай Сергеевич
- Моделирование радиационной чувствительности биполярных ИМС с учетом изменчивости условий космического окружения. — С. 58-60Елушов Илья Владимирович, Зебрев Геннадий Иванович, Лебедев Анатолий Алексеевич
- Прогнозирование вероятности отказа flash-памяти при низкоинтенсивном облучении. — С. 61-63Орешков Павел Николаевич, Попов Виктор Дмитриевич
- Методика моделирования радиационной чувствительности МДП-транзисторных элементов датчиков. — С. 64-69Подлепецкий Борис Иванович, Бакеренков Александр Сергеевич, Сухорослова Юлия Валерьевна
- Исследование скорости радиационной деградации кремниевых и SiGe биполярных транзисторов. — С. 70-72Фелицын Владислав Александрович [и др.]
- Схемотехнические методы повышения радиационной стойкости отражателей тока операционных усилителей. — С. 73-76Родин Александр Сергеевич [и др.]
- На пути к интеллектуальным микросхемам памяти. — С. 77-83Лапшинский Валерий Алексеевич
- Конференции, симпозиумы, семинары (июнь-декабрь 2016). — С. 84