Библиографическое описание:Вакуумные датчики с наноструктурой на основе SiO[2]-SnO[2] и SiO[2]-SnO[2]-In[2]O[3]] / Аверин Игорь Александрович [и др.]. - (Теория и принципы построения датчиков, приборов и систем). - Текст : непосредственный // Датчики и системы. - 2015. - № 6. - С. 20-25 : ил. - Библиогр.: с. 25-26 (26 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках. - ISSN 1992-7185.
Аннотация:Описаны устройство и принцип работы вакуумных датчиков с наноструктурой на основе SiO[2]-SnO[2] и SiO[2]-SnO[2]-In[2]O[3]. Экспериментально установлено, что чувствительность данных вакуумметров зависит от количественного состава наноструктур. Показано, что массовая доля диоксида олова косвенным образом (за счет изменения общей пористости) влияет на относительное изменение сопротивления чувствительных элементов датчиков вакуума.
