Библиографическое описание:Разработка гальванических развязок на основе наноструктур со спин-вентильным магниторезистивным эффектом / Беляков Петр Александрович [и др.]. - (Конструирование и производство датчиков, приборов и систем). - Текст : непосредственный // Датчики и системы. - 2015. - № 4. - С. 32-36 : ил. - Библиогр.: с. 36 (11 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках. - ISSN 1992-7185.
Аннотация:Рассмотрены основные конструктивно-технологические решения, применяемые в гальванических развязках (ГР) с гигантским магниторезистивным эффектом. Представлены результаты исследования спин-вентильных магниторезистивных (СВМР) наноструктур с антиферромагнитной пленкой (Ta-FeNiCo-CoFe-Cu-CoFe-FeNiCo-FeMn-Ta) для создания на их основе отечественных цифровых ГР. Получены магниторезистивные элементы на основе разработанных технологических процессов формирования наноструктур с величиной СВМР-эффекта 7-8% при комнатной температуре.
