Библиографическое описание:Орешков, Павел Николаевич. Модель ионизирующего излучения и температуры на характеристики МОП-транзистора / П. Н. Орешков, В. Д. Попов. - (Кафедре микро- и наноэлектроники НИЯУ МИФИ - 50 лет). - Текст : непосредственный // Датчики и системы. - 2015. - № 1. - С. 57-60 : ил. - Библиогр.: с. 60 (7 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках. - ISSN 1992-7185.
Аннотация:Предложена модернизированная модель влияния ионизирующего излучения и температуры на характеристики p-канального МОП-транзистора, подтвержденная при анализе результатов модельного и натурного экспериментов. Отмечена возможность применения исследованного МОП-транзистора как первичного преобразователя дозиметрического датчика.
