Библиографическое описание:Зебрев, Геннадий Иванович. Влияние флуктуаций ионизационных потерь на вероятность сбоя в элементах памяти / Г. И. Зебрев, И. В. Елушов. - (Кафедре микро- наноэлектроники НИЯУ МИФИ - 50 лет). - Текст : непосредственный // Датчики и системы. - 2015. - № 1. - С. 87-89 : ил. - Библиогр.: с. 89 (3 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках. - ISSN 1992-7185.
Аннотация:Показано, что разброс энерговыделения при ионизации может приводить к увеличению вероятности сбоев в ячейке памяти.
