Библиографическое описание:Электрохимическое получение тонких пленок Si в расплавах KF – KCl – KI – K[2]SiF[6] / А. В. Исаков [и др.]. - (К 85-летию академической науки Урала). - Текст : непосредственный // Цветные металлы. - 2017. - № 11 (899). - С. 49-54 : табл., ил., граф. - Библиогр.: с. 53-54 (19 назв.). - ISSN 0372-2929.
Аннотация:Исследовано электролитическое осаждение кремния из расплавов KF – KCl – KI – K[2]SiF[6]. Получены хроноамперометрические зависимости, позволяющие оценить время процесса, при которых происходит перекрывание диффузионных зон кластеров кремния. Установлено, что выход на постоянные значения тока роста новой фазы происходит в интервале 1, 6–2, 0 с. Проведены исследования получения тонкопленочных кремниевых покрытий при температуре 993 К. Методами электронной микроскопии и микрорентгеноспектрального анализа показано, что в ходе гальваностатического электролиза получены тонкие пленки элементного кремния. Установлено, что пленка кремния образуется из сросшихся кремниевых кластеров. Выявлены закономерности получения сплошных тонких пленок кремния электролизом расплавов солей.
