Библиографическое описание:Формирование пористых структур на кремнии с сегнетоэлектриком для элементов микроэлектроники и микросистемной техники емкостного типа / О. В. Семенова [и др.]. - (Технология неорганических веществ и материалов). - Текст : непосредственный // Химическая технология. - 2017. - Т. 18, № 10. - С. 443-449. - Библиогр.: с. 449 (10 назв. ). - ISSN 1684-5811.
Аннотация:Представлены результаты экспериментальных исследований процесса формирования гетероструктур на основе пористого кремния с титанатом бария для элементов электроники и микросистемной техники емкостного типа. Изучена зависимость емкости и диэлектрической проницаемости от размерности пористой матрицы, количества наносимых слоев титаната бария, материала обкладок конденсаторной структуры.
Ключевые слова:формирование пористых структур, кремний, сегнетоэлектрики, элементы микроэлектроники, техника емкостного типа, пористые структуры на кремнии, электрохимическая обработка, экстракционно-пиролитические методы, титанат бария, формирование гетероструктур, диэлектрическая проницаемость
Рубрики:Химическая технология, Технология неорганических веществ
